Samsung Electronics’in “petabayt” depolama hedefine ulaşma planları bir süre önce gerçekçi görünmüyordu, ancak firma şimdi potansiyel olarak 1000 Katmanlı NAND teknolojisiyle hedefe ulaşmak için yeni “ferroelektrik” malzemeler kullanmayı düşünüyor.
Araştırmacılar, Samsung’un 1000 Katmanlı NAND Teknolojisine Ulaşmasına Yardımcı Olabilecek Yeni Bir Çözüm Sunarken, Petabyte SSD Hedefi Çok Uzak Görünmüyor
Geçtiğimiz günlerde, Samsung’un NAND pazarlarının geleceğine yönelik planlarından bahsetmiştik; bunların arasında, birbiri üzerine yığılmış 290 katmanla gelecek ve yeni bir pazar standardı belirleyecek 9. Nesil V-NAND flash’ın piyasaya sürülmesi de var. İlginç bir şekilde Koreli dev, gelecek yıl piyasaya sürülmesi beklenen şaşırtıcı 430 katmanlı istiflemeye (10. Nesil V-NAND) sahip bir NAND ürününü de duyurdu. Samsung Electronics, bu tür ekipmanlarla birlikte 1000 TB kilometre taşını mümkün olan en kısa sürede geçmeyi planlıyor ancak heyecan verici bir dokunuş daha var.
Şunda VLSI Teknoloji Sempozyumu Honolulu’da, Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü’nden (KAIST) araştırmacıların, belirli koşullar altında ferroelektriklik sergileyen bir malzeme sınıfı olan Hafnia Ferroelektrik hakkındaki bulgularını sunmaları bekleniyor. Ferroelektrik özellikleri daha küçük, daha verimli kapasitörlerin ve bellek cihazlarının geliştirilmesine olanak sağlayabileceğinden, son zamanlarda özellikle bilgisayar endüstrisinde büyük ilgi gördüler.
Konferansla ilgili ilk ayrıntılara dayanarak sunulacak çalışmalar şu şekilde özetleniyor:
Alçak Gerilim ve QLC 3D VNAND 1K Katmanın Ötesinde Deneysel Gösterim ve Modelleme için Temel Etkinleştirici Olarak Hafnia Ferroelektriklerinin Derinlemesine Analizi
Bu çalışmada, metal bant tasarımlı geçit ara katmanı (BE-G.IL)-FE-kanal ara katmanında (Ch.IL) yük yakalama ve ferroelektrik (FE) anahtarlama etkilerinin etkileşimi ile desteklenen dikkate değer bir performans gelişimini deneysel olarak gösteriyoruz. -Si (MIFIS) FeFET. BE-G.IL (BE-MIFIS) ile MIFIS, maksimuma çıkarmayı kolaylaştırır ‘olumlu geribildirim’ (Posi. FB.) ikili etkilerin düşük çalışma voltajına (V) yol açmasıPGM/VERS: +17/-15 V), geniş bir hafıza penceresi (MW: 10,5 V) ve 9 V’lik ön gerilimde ihmal edilebilir düzeyde bozulma.
Ayrıca, önerilen modelimiz BE-MIFIS FeFET’in performans artışının yoğunlaştırılmış pozisyona atfedildiğini doğrulamaktadır. FB. Bu çalışma, hafnia FE’nin şu anda durgunluk durumuna yaklaşan 3D VNAND’ın teknoloji gelişiminin genişletilmesinde önemli bir kolaylaştırıcı olarak oynayabileceğini kanıtlıyor.
– VLSI Teknoloji Sempozyumu
Samsung’un Ar-Ge sürecine doğrudan dahil olmadığını ancak ilgili kişilerin Koreli devle doğrudan ilişkili olduğunun söylendiğini belirtmekte fayda var. Hafnia Ferroelectrics’in petabayt depolama cihazlarının yaratılmasına yol açıp açmayacağı kesin olmasa da, baskın bir rol oynayabilir ve sonuçta bizi bu dönüm noktasına taşıyabilirler.
