2023, yarı iletken endüstrisinde tarihi bir yıl. Bunun nedeni, TSMC ve Samsung Foundry’nin ilgili 3nm işlem düğümleri kullanılarak üretilen yongaları göndermesidir. İşlem düğümleri ne kadar küçük olursa, çipin özellik boyutu o kadar küçük olur, bu da daha küçük transistörler ve daha yüksek transistör sayıları anlamına gelir. Bir çipte ne kadar çok transistör varsa o çip o kadar güçlü ve enerji açısından verimlidir. Apple’ın TSMC’nin tüm birinci nesil 3nm üretimini bağladığı ve 3nm A17 Bionic’in iPhone 15 Pro’da piyasaya sürüleceği ve iPhone 15 Ultra bu yıl içinde.
TSMC’nin 2026’da başlayacak gelişmiş 2nm üretimi ile 2025’te 2nm üretimine başlayacağı bildiriliyor
Cuma günü, Tayvan çevrimiçi yayınından yeni bir rapor
Para DJ’i (aracılığıyla
Wccftech), TSMC’nin 2025’ten itibaren 2nm yongaların seri üretimine başlayacağını söylüyor. Tipik olarak, 2nm üretiminin N2P adlı gelişmiş bir versiyonu, birinci nesil N2 üretiminin gerçekleşmesinden sonraki yıl olan 2026’da başlayacak. Bu, TSMC’nin mevcut 3nm üretimi için N3 adını yansıtıyor ve N3P adı TSMC, gelecek yıl piyasaya çıkması beklenen gelişmiş 3nm düğümünü arayacak.
3nm üretimi için gofretlerin her biri yaklaşık 20.000 $ olarak fiyatlandırılır
TSMC’nin N3 verimlerinin arttığı söyleniyor ve 3nm üretimi için gofretlerin pop başına 20.000 $ olarak fiyatlandırıldığı bildirildiğinden, artan verimler olumlu bir işaret. Fakat, Apple, fiyatın bu yılın sonunda %3 artacağını görecek. Apple’ın her 4nm A16 Bionic yonga seti için 110 dolar ödediği ve iPhone 15 Pro ve iPhone 15 Ultra’ya güç vermesi beklenen 3nm A17 Bionic’in her SoC için 150 dolara mal olabileceği bildiriliyor.
TSMC CEO’su CC Wei, TSMC’nin 2025 yılına kadar 2nm yongaları seri üretmeye hazır olacağından emin olduğunu söyledi. Bugünün raporu, Wei’nin görüşünü destekliyor ve şirketin 2nm zaman çizelgesiyle hedefte olduğunu söylüyor.
N2P olarak bilinen ikinci nesil 2nm üretimiyle TSMC, BSPD (arka taraf güç dağıtımı) olarak bilinen şeyi kullanacaktır. Bu, transistörlerin bir çipin bir tarafından elektrik gücü çekmesine izin verirken, diğer taraf transistörleri veri bağlantı bağlantıları ile bağlamak için kullanılacaktır. Bu, Intel’in PowerVia olarak adlandırmasına rağmen, TSMC ve Samsung Foundry’den süreç liderliğini yeniden kazanmak için Intel’in kullanacağı teknolojinin aynısıdır.
TSMC ayrıca 2nm üretimi ile her yerde geçit (GAA) transistörleri kullanmaya başlayacak. GAA transistörleri, çip üzerine dikey olarak yerleştirilmiş yatay nano-tabakaların kullanımı sayesinde kanalla dört taraftan da temas halindedir. Bu, sızıntıları azaltır ve daha düşük enerji tüketimi sağlar. Ayrıca sürücü akımını artırarak gelişmiş çip performansı sağlar.
Samsung Foundry, 3nm üretimi için zaten GAA’yı kullanırken TSMC, 3nm yongalarında FinFET transistörlerini kullanmaya devam ediyor. FinFET transistörleri, kanalın yalnızca üç tarafını kaplar ve bu da daha fazla sızıntıya neden olur. Intel ayrıca, RibbonFET adını verdiği GAA’yı kullanmayı planlıyor.
Intel, 2025 yılına kadar süreç liderliğini yeniden kazanma planları ile joker karakterdir.
Gözlemleri 1965’te Moore Yasasının oluşturulmasına yol açan Gordon Moore, Kısa bir süre önce 94 yaşında vefat etti. Ancak Moore Yasası, transistör sayısının iki yılda bir ikiye katlandığını görmek yerine, her iki yılda bir daha fazla transistörü çiplere yerleştirme eğilimiyle ilgili olsa da, tutunmaya devam ediyor.
%17,3’lük pazar payıyla Samsung, çip üretim pastasında TSMC’nin %52,9’luk dilimini takip ediyor. Bildirildiğine göre Samsung, bu pazar payı açığını azaltmak amacıyla bugün ile 2027 arasında en gelişmiş yongaları için üretim kapasitesini üçe katlamayı umuyor. Ve sonra Intel var. Buradaki joker kart, şirket CEO’su Pat Gelsinger, olacağını söylüyor 2025 yılına kadar TSMC ve Samsung Foundry’den süreç liderliğini yeniden kazanın.
