TSMC ve Samsung şu anda süreç liderliğinin kontrolü için birbirleriyle mücadele ediyor. Şu anda, Samsung Foundry, 3nm işlem düğümü kullanılarak üretilen çipleri göndermeye başladı. Düğüm boyutu ne kadar küçük olursa, söz konusu bileşenle birlikte kullanılan transistörler o kadar küçük olur. Bu, bir çipin içine daha fazla transistörün sığmasını sağlar. Ve transistör sayısı ne kadar yüksekse, genellikle bir çip o kadar güçlü ve enerji açısından verimlidir.
TSMC’nin en büyük müşterisi, dökümhane gelirinin %25’ini oluşturan teknoloji devi Apple’dır.
Örneğin, 2016’da Apple A10 Fusion çipi, TSMC’nin 16nm işlem düğümü üzerine inşa edildi ve 3,3 milyar transistör içeriyordu. iPhone 7 ve iPhone 7 Plus, başlıklarının altında bu yavrulardan birine sahipti. Her ikisi de Apple A16 Bionic tarafından desteklenen bu yılki iPhone 14 Pro ve iPhone 14 Pro Max modellerine geçelim. İkincisi, TSMC tarafından 4nm olarak adlandırdığı gelişmiş 5nm düğümü kullanılarak üretilir ve her çipin içinde 16 milyara yakın transistör bulunur.
Intel’in RibbonFET transistörü, küresel süreç liderliğini geri almasına yardımcı olabilir. Görüntü kredisi-Intel
Bu çip 2nm’ye eşdeğer olacak ve Intel’in daha yaygın olarak GateAllAround (GAA) olarak bilinen yeni RibbonFET transistörlerini kullanacak. GAA zaten Samsung tarafından 3nm üretimi için kullanılıyor ve TSMC bunu 2nm düğümü için kullanacak. GAA ile akım kaçakları keskin bir şekilde azaltılır. Daha az sızıntı, telafi edilmesi gereken daha az ek güç olduğu anlamına gelir. GAA’nın %50 daha az güç tüketimi ile performansı %25 artırması bekleniyor.
TSMC’nin 3nm ve 2nm işlem düğümlerinde beş yıldan fazla zaman harcaması bekleniyor
Intel ayrıca PowerVia adını verdiği bir özellik olan arka güç dağıtımını da kullanacak. Bu, transistörlerin gofretin bir tarafından güç çekmesine izin verirken diğer tarafı iletişim için kullanılacaktır. Bu, bir transistörün gücü bir yonga levhasının ön kısmı boyunca yönlendirme ihtiyacını ortadan kaldıracak bir sistemin ilk uygulaması olacaktır.
