SK hynix var ilan edildi %50’ye varan oranda daha yüksek aktarım hızları sunan sektördeki en yüksek 238 katmanlı 4D NAND’ın seri üretimi.
4D NAND, SK hynix Yeni Nesil Platformlar İçin Endüstrinin En Yüksek 238 Katmanlı Cihazlarını Hazırlarken Seri Üretime Giriyor
Basın bülteni: SK hynix Inc. (veya “şirket”, www.skhynix.com) bugün, Ağustos 2022’deki geliştirmenin ardından 238 katmanlı 4D NAND Flash belleğinin seri üretimine başladığını ve küresel bir akıllı telefon üreticisi ile ürün uyumluluk testinin sürdüğünü duyurdu.
Şirket, “SK hynix, 238 katmanlı NAND teknolojisini benimseyen, PC depolama cihazları olarak kullanılan akıllı telefonlar ve istemci SSD’ler için çözüm ürünleri geliştirdi ve Mayıs ayında seri üretime geçti” dedi. “Şirketin hem 238-katmanlı NAND hem de önceki nesil 176-katmanlı NAND için fiyat, performans ve kalitede birinci sınıf rekabet gücü elde ettiğini göz önüne alırsak, bu ürünlerin yılın ikinci yarısında kazançlarda iyileşme sağlamasını bekliyoruz.”
Boyut olarak en küçük NAND olan 238 katmanlı ürün, önceki nesil 176 katmanlı ürüne kıyasla %34 daha yüksek üretim verimliliğine sahiptir ve bu da maliyet rekabetçiliğinde önemli bir gelişme sağlar.
Ayrıca, saniyede 2,4 Gb veri aktarım hızı, önceki nesle göre %50 artış ve okuma ve yazma hızında yaklaşık %20 artış ile şirket, gelişmiş performans sunabileceğinden emin. Bu teknolojiyi kullanan akıllı telefon ve PC müşterileri.
Küresel akıllı telefon üreticisiyle yapılan ürün uyumluluk testi tamamlandıktan sonra SK hynix, akıllı telefonlar için 238 katmanlı NAND ürününü sağlamaya başlayacak ve ileriye dönük olarak PCIe 5.0* SSD’ler ve yüksek kapasiteli sunucu SSD’ler gibi ürün portföylerinde teknolojiyi genişletecek.
*PCIe 5.0: PCIe(Peripheral Component Interconnect Express), dijital cihazların ana kartlarında kullanılan seri yapılı, yüksek hızlı bir giriş/çıkış arabirimidir ve PCIe 5.0, veri hızını PCIe’den 32GT/s’ye (saniyede Gigatransfer) iki katına çıkarır 4.0
SK hynix’te S238 NAND Başkanı Jumsoo Kim, “Yaklaşan pazar toparlanması sırasında herkesten daha büyük bir geri dönüş elde edebilmek için NAND teknolojisi sınırlamalarının üstesinden gelmeye ve rekabet gücümüzü artırmaya devam edeceğiz” dedi.
