Geçen yıl boyunca, USB şarj cihazlarını üreten birçok şirketin GaN veya galyum nitrür teknolojisi hakkında konuştuğunu fark etmiş olabilirsiniz.
Ama bu teknoloji nedir? GaN’in avantajları nelerdir? Ve bugün tüm şarj cihazlarınızı yükseltmeniz mi gerekiyor?
Bu soruları cevaplamak için kimya, fizik ve elektroniğe nazikçe dokunan küçük bir yolculuğa çıkmamız gerekiyor.
Galyum nitrürün arkasında ne var?
Galyum nitrür (kimyasal formülü GaN olan), özel özelliklere sahip kristal benzeri bir yarı iletken malzemedir. GaN, televizyonları ve bilgisayar monitörlerini aydınlatmak için ışık yaymak için kullanıldığı 1990’larda LED’lerle başlayarak, daha sonra ışığı elektriğe dönüştürmek için güneş panellerinde yerini bulmadan önce elektronikte onlarca yıldır kullanılmaktadır.
Bugün GaN, transistörlere girmenin yolunu buldu ve eski endüstrinin gözdesi olan yarı iletken malzeme olan silikonun yerini aldı.
Transistör nedir ve GaN neden daha iyidir?
Transistör, çok hızlı açılıp kapanan küçük bir elektronik anahtardır. GaN, transistörlerde kullanıldığında silikona göre çeşitli avantajlara sahiptir. GaN transistörleri silikon transistörlerden daha küçük olmanın yanı sıra daha fazla güç taşıyabilir, daha hızlı geçiş yapabilir (saniyede yaklaşık 40 milyon kez veya silikon transistörlerden yaklaşık dört kat daha hızlı) ve daha iyi enerji verimliliğine sahiptir.
Silikon transistörler %87 civarında bir enerji verimliliğine sahipken, GaN transistörler bu verimliliği %95’in üzerine çıkarmaktadır.
GaN teknolojisinin somut avantajları nelerdir?
Transistör boyutundaki azalma, yeni GaN USB şarj cihazlarının eski silikon bazlı şarj cihazlarından daha küçük olabileceği anlamına gelir. Daha küçük şarj cihazlarına sahip olmak güzel olsa da, USB şarj cihazları söz konusu olduğunda en önemli faktör artan verimliliktir, çünkü bir elektronik bileşen ne kadar verimli olursa, o kadar az ısı üretir.
Gerçekten de, bir elektronik bileşen ne kadar verimli olursa, o kadar az atık ısı üretir. Atık ısı ne kadar az olursa, aşırı ısınma olasılığı o kadar az olur ve güvenli çalışması için şarj cihazının daha az soğutulması gerekir.
Şarj cihazları dokunulamayacak kadar ısındığında tüketiciler anlaşılır bir şekilde endişeleniyor. Silikon transistör kullanan şarj cihazlarının dokunulamayacak kadar ısınması yaygın olsa da, GaN teknolojisini kullanan bir şarj cihazının biraz ısınması nadirdir.
Daha hızlı anahtarlama aynı zamanda bir şarj cihazının içindeki bir GaN transistörünün şarj üzerinde daha iyi kontrole sahip olabileceği ve aşırı ısınma veya aşırı voltaj gibi olaylara eski transistörlerden çok daha hızlı yanıt verebileceği anlamına gelir.
Bu daha yüksek verimlilik ve daha hızlı geçiş, modern USB-C şarj cihazları için çok önemlidir, çünkü 100W şarjlar artık yaygın ve 240W şarj cihazları yakında gerçeğe dönüşecek olan bu giderek daha büyük yükleri destekler.
Şimdi bu teknolojiye geçmeli misiniz?
Elbette, GaN şarj cihazlarının birçok avantajı vardır. Bu, eski şarj cihazlarınızı atmanız ve daha yüksek teknolojiye geçmeniz gerektiği anlamına mı geliyor?
Mevcut şarj cihazlarınızdan memnunsanız, yükseltme ihtiyacı hissedene kadar bunlarla devam edin, ardından ihtiyaçlarınızı karşılayan yeni bir GaN USB şarj cihazı seçin. Şarj cihazlarınız iyiyse ve istediğinizi yapıyorsa, onları hurdaya çıkarmak ayıp olur.
Ancak bugün daha küçük ve daha soğuk bir USB şarj cihazına ihtiyacınız varsa, modern teknolojinin tüm avantajlarından çok az bir maliyetle yararlanabileceğiniz için bir GaN şarj cihazı seçmeniz önerilir.
Kaynak : ZDNet.com
