San Jose, Kaliforniya’daki SPIE Gelişmiş Litografi + desenleme konferansında, litografik ekosistemin farklı sektörlerinden uzmanlar Düşük-NA ve Yüksek-NA aşırı ultraviyole (EUV) litografinin umutlarını tartıştı. Görüşleri, özellikle Yüksek NA EUV ile ilgili olarak son derece iyimserden temkinliye doğru değişiyordu. Bellek üretimi konusunda bir Samsung temsilcisi, High-NA EUV ile ilgili maliyetlerden endişe duyduğunu belirtti.
Samsung’da bellek üretimiyle ilgilenen bir araştırmacı olan Young Seog Kang, Low-NA EUV’nin halihazırda çalışır durumda olduğunu ve çip üreticilerinin High-NA EUV yerine daha ekonomik alternatifler olarak Low-NA EUV ile çift desenleme kullanmayı veya gelişmiş paketleme tekniklerine başvurmayı tercih edebileceğini söyledi. -NA EUV. Hafıza olarak, teknolojiyi genişletmeye çalışırken performans ve maliyetteki potansiyel zorlukları öne sürerek EUV’nin genel olarak daha kısa bir kullanım ömrü öngördü. Ancak EUV’nin daha karmaşık düzenleri nedeniyle mantık çipleri için daha uzun süre geçerli kalabileceğini kabul etti.
Kang, “Bir kullanıcı olarak her zaman toplam maliyetle ilgileniyorum” dedi.
3 nm sonrası üretim teknolojilerindeki zorluklardan biri, litografi sistemleri tarafından üretilen kritik boyutların (yani çözünürlüğün artırılması) 13 nm’den 8 nm’ye düşürülmesi gerekliliğidir. Bu, 0,55 sayısal açıklığa (Yüksek NA) sahip projeksiyon optiklerine sahip EUV makineleri kullanılarak yapılabilir; 0,33 NA (Düşük NA) özelliğine sahip projeksiyon optiklerine sahip EUV sistemleriyle çift desenlemenin kullanılması; veya Applied Materials’ın Centura Sculpta’sı gibi desen şekillendirme sistemleri kullanarak (bu, EUV çift desenleme adımlarının azaltılmasına olanak tanır, ancak bunları veya Yüksek NA EUV kullanımını ortadan kaldırmaz); ve fotodirenç özellikleri, aydınlatma ayarları ve maske geliştirmeleri gibi süreçle ilgili diğer faktörleri geliştirerek.
Intel, gelecek proses teknolojileri için High-NA EUV litografisini ve Applied’in Centura Sculpta’sını (20A’dan başlayan Centura Sculpta ve 14A’dan başlayan High-NA EUV) kullanmayı planlıyor; diğer çip üreticileri High-NA EUV’yi araştırıyor.
EUV ile yetenekleri artırmanın ve maliyetleri düşürmenin başka potansiyel yolları da var — Intel’in maske operasyonlarından sorumlu başkan yardımcısı ve genel müdürü Frank Abboud, EUV litografisini geliştirmek için faz kaydırmalı maskelerin kullanılmasını tartıştı. DUV litografide faydalı olan bu tür maskeler, görüntü çözünürlüğünü iyileştirmek için faz farklılıklarını kullanır. EUV için faz kaydırma maskeleri henüz geliştirilmemiş olsa da Abboud bunların ulaşılabilir olduğuna inanıyor.
ASML’de sistem mühendisliği direktörü Jan van Schoot, EUV litografinin çözünürlüğünü geliştirmek ve kullanımını genişletmek için çeşitli yaklaşımların ana hatlarını çizdi. Projeksiyon optiklerinin sayısal açıklığının arttırılmasına ek olarak, bir litografi sisteminin çözünürlük kapasitesini temsil eden bir katsayı olan k1’in optimize edilmesi mümkündür. Bu, fotodirenç nitelikleri, aydınlatma ayarları ve maske geliştirmeleri dahil olmak üzere çeşitli yöntemler kullanılarak yapılabilir. ASML’nin k1’i geliştirmek için yeni bir aydınlatıcı ve diğer stratejiler üzerinde aktif olarak çalıştığını ve şirketin gelecek vaat eden bazı fikirleri olduğunu söyledi.
JSR ABD’nin (fotorezist tedarikçisi) başkanı Mark Slezak, EUV teknolojisinin 20 yıl dayanabileceğini öne sürdü. Daldırma litografi ve çoklu desenleme gibi yenilikler nedeniyle beklenenden çok daha uzun süren DUV litografinin yaygın kullanımıyla paralellikler kurdu. Slezak, benzer ilerlemelerin EUV’nin ilgisini uzatabileceğine inanıyor; High-NA EUV bunun potansiyel bir örneğidir.
