Samsung, MRAM’de bilgi işlem sürecini gerçekleştiren dünyadaki ilk şirketti.
Manyeto dirençli RAM, birçok faydasıyla geleneksel DRAM’in yerini alma potansiyeline sahiptir. Ancak, doğrudan bellekte hesaplama söz konusu olduğunda, bir takım sorunlar vardır.
Samsung bilim adamlarının bilimsel çalışmasında belirtildiği gibi, teknolojinin pratik avantajlarına rağmen, spin transferli bir dizi manyetorezistif rasgele erişim belleğinin geliştirilmesi zorlu bir görev olmaya devam ediyor. Zorluk, MRAM’ın düşük empedansından kaynaklanır, bu da analog çarpma-birikimli işlemler için akım toplama kullanan geleneksel bir matris dizisinde yüksek güç tüketimine neden olur. Şirket, analog çoklu-birikimli işlemler için direnç toplama kullanan bir mimari ile düşük empedans sorununun üstesinden gelen MRAM hücrelerine dayalı 64×64 bir jumper dizisi oluşturdu. Dizi, 28nm CMOS okuma elektroniği ile entegre edilmiştir. Bu diziyi kullanarak, 10.000 el yazısı basamağı %93.23 doğrulukla sınıflandırmak için iki seviyeli bir algılayıcı uygulandı. Ölçülen hatalarla Visual Geometry Group-8’in sekiz katmanlı daha derin bir sinir ağını taklit ederken, sınıflandırma doğruluğu %98.86’ya yükseltilir. Samsung ayrıca on katmanlı bir sinir ağında bir katmanı uygulamak için diziyi kullandı ve yüz tanıma görevinde %93.4 doğruluk elde edildi.
Samsung’un geliştirmesi, beyin sinapslarının bağlantılarını simüle ederek beyni simüle etmek için bir platform da dahil olmak üzere, AI oluşturmak için bellek içi bilgi işlem MRAM’inin kullanılmasını sağlayabilir.
.
genel-22
