Intel, iki önde gelen ASML High-Na Twinscan Exe: 5000 EUV litografi aracı kullanmaya başladı, şirket Pazartesi günü bir endüstri konferansında açıkladı. Reuters Raporlar. Şirket bu sistemleri araştırma ve geliştirme amacıyla kullanıyor ve şimdiye kadar Intel on binlerce gofret bunları kullandı.
Intel, geçen yıl Hillsboro, Oregon yakınlarındaki D1 geliştirme fab’da ASML’den iki yüksek-NA EUV litografi aracı kullandı ve kullanmaya başladı ve şimdi bu sistemleri kullanarak 30.000 kadar gafer işledi, Intel mühendis Steve Carson, Spie Advanced Litografi + ‘da açıkladı. Desen Konferansı. Intel, geçen yıl yüksek NA EUV makineleri (her biri 350 milyon € ‘dan mal olduğuna inanılan) alan ilk önde gelen yonga üreticisiydi ve bunları birkaç yıl boyunca 14A (1.4nm sınıf) yongalarını üretmek için kullanmayı planlıyor.
Nihayetinde endüstri standartları haline gelebilecek çeşitli yüksek-NA EUV üretim yönleri (fotomaslar için cam, fotomasikler, kimyasallar vb. Ayrıca, ASML, Intel’den mühendisler tarafından sağlanan ve Amerikan devine zamanla rakiplere karşı bir avantaj sağlayabilecek geri bildirimlerle 5000 High-Na EUV araçlarını geliştirmeye hazırlanıyor.
Çeyrekte 30.000 gofret işleme, ticari sınıf sistemlerinin yapabileceği çok altında. Bununla birlikte, sayı Ar-Ge kullanımı için çok büyük, Intel’in yüksek NA EUV döneminde önde gelen çip üreticisi olmakla ilgili ne kadar ciddi olduğunu gösteriyor.
ASML, ikiz exe: 5000 yüksek-NA EUV litografi araçlarını, yüksek hacimli üretim için tasarlanmayan üretim öncesi araçlar olarak görse de, Intel’in bu sistemlerin “önceki modellerden daha güvenilir” olduğunu söyledi. Yine de rapor, ASML’nin Twinscan Exe: 5000’in, şirketin üretim öncesi Twinscan NXE: 3300 aracı, mevcut EUV ekosistemini veya üretim sınıfı Twinscan NXE: 3600D’den daha güvenilir olup olmadığını açıklamıyor. veya NXE: Bugün yüksek hacimli üretim (HVM) için kullanılan 3800E. ASML’nin NXE ve EXE makineleri için benzer ışık kaynakları kullandığı düşünüldüğünde, gerçekten çok güvenilir olabilirler.
ASML’nin Twinscan exe yüksek-NA EUV litografi araçları, tek bir maruz kalma ile 8nm’ye kadar bir çözünürlük elde edebilir, tek bir pozlama ile 13.5nm çözünürlük sunan düşük NA EUV sistemlerine kıyasla önemli bir iyileşme olabilir. Mevcut nesil düşük-NA EUV araçları yine de çift desenli 8nm çözünürlük elde edebilse de, bu ürün döngüsünü uzatır ve verimi etkileyebilir. Yüksek-NA EUV araçları, çip geliştiricilerin tasarımlarını değiştirmesini gerektiren düşük NA EUV sistemlerine kıyasla maruz kalma alanını yarı yarıya azaltır. Yüksek-NA EUV Litho sistemlerinin maliyetleri ve özellikleri göz önüne alındığında, tüm yonga üreticilerinin benimsenmeleri için farklı stratejileri vardır. Intel açıkça ilk benimseyen olmak istiyor, oysa TSMC biraz daha temkinli.
