Yeni Delhi: Hintli araştırmacılar, yüksek performanslı, endüstri standardı bir model geliştirdiler transistör yüksek güç yapmak için kullanılabilir Radyo frekansı kullanılan amplifikatörleri ve anahtarları içeren devreler kablosuz iletim ve uzay ve savunma uygulamaları için yararlıdır.
Yüksek performanslı endüstri standardı model, basit tasarım prosedürleriyle alüminyum galyum nitrür (AlGaN/GaN) Yüksek Elektron Hareketli Transistörler (HEMT’ler) için yapılmıştır. AlGaN/GaN HEMT’ler ayrıca katı hal mikrodalga devrelerinin güç seviyesini beş ila on kat artırabildiğinden, toplam çip boyutunda ve maliyetinde kayda değer bir azalma ile sonuçlandığından, geliştirilen standart devrelerin geliştirme maliyetini önemli ölçüde azaltabilir. ve yüksek frekanslı sinyalleri iletmek için cihazlar.
“Teknoloji, yüksek performansı ve verimliliği nedeniyle hızla popülerlik kazanıyor. İki mükemmel özelliği var – yüksek mobilite ve yüksek güç performansı. Bu özellikler, cep telefonları gibi kablosuz iletimde kullanılan düşük gürültülü amplifikatörler tasarlarken gürültü rakamını ve karmaşıklığı azaltır. , baz istasyonları – ulaşılabilir bant genişliğini arttırırken, “dedi bir Bilim ve Teknoloji Bakanlığı açıklaması.
AlGaN/GaN HEMT’ler, 5G, radarlar, baz istasyonları, uydu iletişimi vb. gibi yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalar için tercih edilen teknoloji haline geldi. Geniş bantlı güç amplifikatörleri tasarlamak için, tamamen sağlam ve doğru fizik tabanlı radyo frekansı GaN HEMT modeli büyük önem taşımaktadır.
Mevcut çalışmada, IIT Kanpur’da Prof Yogesh Singh Chauhan tarafından yönetilen ekip, AlGaN/GaN HEMT’ler için fizik tabanlı bir kompakt model geliştirdi ve standartlaştırdı – GaN-HEMT’ler için Gelişmiş Baharat Modeli. “Geliştirilen devre tasarımı için standart model, yüksek performanslı RF devreleri için tasarım prosedürünü basitleştirir ve tasarım çabalarının otomatikleştirilmesine yardımcı olur ve ayrıca genel geliştirme maliyetini düşürür. Ayrıca, AlGaN/GaN HEMT’nin devre tasarımındaki davranışını doğru bir şekilde tahmin edebilir. ,” açıklaması yapıldı.
Modelin geliştirilmesi, Bilim ve Teknoloji Bakanlığı’nın BT Altyapısını Geliştirme Fonu (FIST) ve Teknoloji Geliştirme Programı (TDP) programları tarafından kısmen desteklenmiştir.
FIST ve TDP tarafından finanse edilen ölçüm tesisi, FIST ve TDP tarafından yoğun olarak kullanılıyor. ISRO, DRDO ve diğerleri, yüksek frekanslı uygulamalar için yarı iletken cihazları karakterize etmek için.
Prof Chauhan’ın ekibi, test edilen cihazların akım, kapasitans ve RF özelliklerini ölçer ve belirli bir teknoloji için ASM-HEMT modelinin parametrelerini çıkarmak için parametre çıkarma araçlarını kullanır. Model davranışı ölçülen özelliklerle yakın bir uyum içinde olduğunda, model pratik uygulamalar için doğrulanır.
Ekip aynı zamanda devre tasarımı üzerinde çalışıyor ve piyasada bildirilen en düşük gürültü rakamlarından birine sahip son teknoloji ticari GaAs tabanlı LNA’yı teslim etti. Devam eden çabalar arasında LNA ve AlGaN/GaN malzeme sistemine dayalı PA tasarımı yer alıyor.
FacebookheyecanLinkedin
.
genel-9
