Tipik olarak, bir NAND flaş hücresi ne kadar fazla şarj tutabilirse, programlama/silme döngüleri açısından o kadar az dayanıklı olur. Ancak 3D NAND materyalindeki yenilikler, NAND denetleyicilerindeki ilerlemeler ve hata düzeltme algoritmaları, bir NAND flaş hücresinin destekleyebileceği P/E döngüsü sayısını önemli ölçüde artırabilir. Yangtze Memory Technologies Co.’nun 3D TLC IC’lerin dayanıklılığına sahip X3-6070 3D QLC cihazında olan da buydu. Ana Sayfa raporlar.
YMTC’nin X3-6070 3D QLC NAND cihazı, şirketin dördüncü nesil ürünleri arasında yer alıyor ve 128 aktif katmanın yanı sıra 2400 MT/s arayüze sahip Xtacking 3.0 mimarisine sahip. 128 aktif katman günümüz standartlarına göre bir rekor gibi görünmese de, bu 3D QLC NAND cihazının en önemli kısımlarından biri, üreticinin bu IC için oldukça önemli bir 4.000 program/silme döngüsü dayanıklılığı iddia etmesidir. Bu cihazların desteklediği hızlı arayüz, onları PCIe 4.0 veya PCIe 5.0 arayüzüne sahip en iyi SSD’ler için uygun kılar.
Eskiden 3D TLC NAND’ın 1.000 ila 3.000 F/K döngüsünü sürdürebileceğine inanılıyordu, ancak malzemeler, kontrolörler ve ECC yöntemlerindeki ilerlemeler bu sayıyı 4.000 F/K döngüsüne ve ötesine çıkardı. 3D QLC NAND’ın başlangıçta 100 ila 1.000 F/K döngüsü kapasitesine sahip olduğu düşünülüyordu, ancak tüm bellek üreticileri bu sayıyı da artırdı. YMTC belki de 3D QLC NAND’ın 3D TLC NAND kadar dayanıklı olduğunu ilan eden tek şirkettir; diğer flash bellek üreticileri de kesinlikle bu yönde ilerleme kaydetmektedir.
Hiç şüphe yok ki, 4.000 P/E döngüsü YMTC’nin X3-6070 3D QLC NAND bellek cihazları için büyük bir başarıdır. YMTC’nin rakipleri 176 veya daha fazla aktif katmana sahip QLC 3D NAND cihazları sunarken, bu flash bellek IC’lerinin 128 aktif katmana sahip oldukları gerçeği göz önüne alındığında ne kadar rekabetçi oldukları görülecektir.
YMTC şu anda PC41Q tüketici sınıfı katı hal sürücüsü için X3-6070 3D QLC NAND belleğini kullanıyor. Bu SSD, 5500 MB/sn sıralı okuma/yazma hızına ve 30 santigrat derecede bir yıllık veri saklama süresine sahiptir; bu da TLC katı hal sürücüleri ile eşdeğerdir. 4.000 P/E döngüsü dayanıklılığına sahip Yangtze Memory, kurumsal düzeyde depolama cihazları için 3D QLC NAND flash’ı kullanmayı sabırsızlıkla bekliyor.
