TSMC, 3nm yonga seti üretmek için kullanılan her silikon levha için çip tasarımcılarından 20.000 dolar ücret alıyordu. Her bir gofret 300 ila 400 çip üretebilir. 30.000 ABD Doları tutarındaki 2 nm üretim için kullanılan levha, 3 nm üretimde kullanılan levha için ücretlendirilen 20.000 ABD Doları tutarındaki TSMC’den %50 daha pahalıdır. Bu, TSMC’nin 4nm ve 5nm üretiminde kullanılan levhalar için ödenen 15.000 dolardan iki kat daha pahalı. Daha da geriye gidersek, 2014 yılında TSMC, 28nm çiplerini oluşturmak için kullanılan levhalar için müşterilerden 3.000 dolar ücret almıştı.
2nm düğümü, TSMC tarafından üretilen çipler için birkaç yeni özelliği tanıtacak. Dökümhanenin 2nm yongaları, FinFET’in yerine nanosheet Gate-all-around (GAA) transistörlerini kullanacak. GAA ile geçit, kanalla her yönden temas ederek akım kaçağını azaltır ve sürücü akımını iyileştirir. Bu, %10 ila %15 güç artışı, %15 transistör yoğunluğu artışı ve güç tüketiminde %25 ila %30 azalma ile sonuçlanır.
TSMC’nin 2nm üretimi, güç bağlantılarını çipin arka tarafına taşıyarak bunların geleneksel ön güç dağıtımında kullanılan bağlantılardan daha kısa olmasını sağlayan arka taraf güç dağıtımını (BPD) de içerecek. Bu, hat direncinden kaynaklanan güç kaybının azalmasına neden olur. Sonuç olarak güç kullanımında %15-20’lik bir iyileşme söz konusudur.
