Samsung bugün, şirketin 8. Nesil V-NAND olarak markaladığı 236 katmanlı üç boyutlu NAND belleğinin seri üretimine başladığını duyurdu. Yeni IC’ler 2400 MTps aktarım hızına sahiptir ve gelişmiş bir denetleyiciyle birleştirildiğinde, 12 GBps’nin üzerinde aktarım hızına sahip istemci sınıfı SSD’leri etkinleştirebilirler.
Yeni 8. Nesil V-NAND cihazı, Samsung’un IC’nin boyutunu veya gerçek yoğunluğunu açıklamadan endüstrinin en yüksek bit yoğunluğu dediği 1 Tb kapasiteye (128 GB) sahiptir. IC ayrıca uygun bir denetleyici ile eşleştirildiğinde 12.4 GBps (veya daha fazla!) sunan bir PCIe 5.0 x4 arabirimine sahip en iyi SSD’ler için hayati önem taşıyan 2400 MTps veri aktarım hızına sahiptir.
Samsung, yeni nesil 3D NAND belleğinin, aynı kapasitedeki mevcut flash IC’lerine kıyasla gofret başına %20 daha yüksek verimlilik sunacağını iddia ediyor, bu da şirketin maliyetlerini düşüren (aynı verimi sağlayan), bu da potansiyel olarak daha ucuz SSD’ler anlamına geliyor .
Bu arada şirket, cihazın mimarisi hakkında hiçbir şey söylemiyor, ancak sağlanan görüntüye dayanarak, çift düzlemli bir 3D NAND IC’den bahsettiğimizi varsayıyoruz.
“Daha yoğun, daha yüksek kapasiteli depolamaya yönelik pazar talebi, daha yüksek V-NAND katman sayımlarını zorlarken, Samsung, yüzey alanını ve yüksekliğini azaltmak için gelişmiş 3D ölçekleme teknolojisini benimsedi ve normalde ölçek küçültmeyle oluşan hücreden hücreye parazitten kaçındı. Samsung Electronics Flash Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı SungHoi Hur dedi. Sekizinci nesil V-NAND’ımız hızla büyüyen pazar talebini karşılamaya yardımcı olacak ve gelecekteki depolama yeniliklerinin temelinde yer alacak daha farklı ürünler ve çözümler sunmamız için bizi daha iyi konumlandıracak.”
Samsung, 8. nesil V-NAND belleğine dayalı herhangi bir gerçek ürün açıklamadı, ancak ilk cihazların istemci uygulamalarına hitap edeceğini varsayabiliriz.
