Perşembe günü geç saatlerde Samsung, oldukça beklenmedik bir şekilde, endüstrinin ilk GDDR7 bellek yongasının gelişimini tamamladığını söyledi. Yeni cihaz, 32 GT/s veri aktarım hızına sahip olacak, darbe genlik modülasyonu (PAM3) sinyalini kullanacak ve GDDR6’ya göre %20 güç verimliliği artışı vaat edecek. Bunu başarmak için Samsung’un birkaç yeni teknoloji uygulaması gerekiyordu.

Samsung’un ilk 16Gb GDDR7 cihazı, 32 GT/s veri aktarım hızına sahiptir ve bu nedenle, GDDR6X tarafından 22,4 GT/s hızında sağlanan çip başına 89,6 GB/sn’den önemli ölçüde yüksek olan 128 GB/sn’lik bir bant genişliğine sahiptir. Perspektif olarak ifade etmek gerekirse, 32 GT/sn GDDR7 yongalarına sahip 384 bitlik bir bellek alt sistemi, GeForce RTX 4090’ın 1.008 TB/sn’den çok daha yüksek olan 1.536 TB/sn’lik muazzam bir bant genişliği sağlayacaktır.

Eşi benzeri görülmemiş yüksek veri aktarım hızlarına ulaşmak için GDDR7, üç farklı sinyal düzeyine (-1, 0 ve +1) sahip bir tür darbe genliği modülasyonu olan PAM3 sinyalini kullanır. Bu mekanizma, GDDR6 tarafından kullanılan yöntem olan iki seviyeli NRZ’den daha verimli olan iki döngüde üç bitlik verinin transferini sağlar. Bununla birlikte, PAM3 sinyallerinin üretilmesi ve kodunun çözülmesinin NRZ sinyallerinden daha karmaşık olduğunu (bu, ek güç tüketimi anlamına gelir) ve parazite ve parazite karşı daha duyarlı olabileceklerini not etmek önemlidir. Bu arada, PAM3’ün faydaları zorluklarına ağır basıyor gibi görünüyor, dolayısıyla hem GDDR7 hem de USB4 v2 tarafından benimsenecek.

(İmaj kredisi: Samsung)

Daha yüksek performansın yanı sıra, Samsung’un 32 GT/sn GDDR7 yongasının, 24 GT/sn GDDR6’ya kıyasla güç verimliliğinde %20’lik bir iyileşmeye sahip olduğu söyleniyor, ancak Samsung güç verimliliğini nasıl ölçtüğünü belirtmiyor. Tipik olarak, bellek oluşturucular aktarılan bit başına gücü ölçme eğilimindedir, ki bu yapılacak adil bir şeydir ve bu bakış açısından GDDR7, GDDR6’dan daha verimli olmayı vaat eder.



genel-21