Şimdilik, Moore Yasası, yarı iletken efsanesi Gordon Moore tarafından yapılan gözlem hayatta kalıyor. Fairchild Semiconductor ve Intel’in kurucu ortağı olan Moore, ilk olarak 1965’te bir entegre devre (IC) içindeki transistör sayısının her yıl iki katına çıkacağını belirtti. Daha sonra bunu 1970’lerde transistör sayısının her iki yılda bir ikiye katlayacağını belirterek revize etti.

TSMC ve Samsung gibi önde gelen dökümhaneler tarafından son teknoloji talaşlar oluşturmak için kullanılan süreç düğümü bize Moore Yasası’nın nasıl çalıştığı hakkında bir fikir veriyor. İşlem düğümü ne kadar küçükse, bir IC’ye sığabilecek transistör sayısı o kadar fazla olur. Ve bu önemlidir, çünkü transistör sayısı ne kadar yüksekse, bir çip o kadar güçlü ve enerji açısından verimlidir.
Samsung, 10nm SoC’lerini 2016’da göndermeye başladı. 2018’de 7nm yonga setlerinin seri üretimine başladı. 2020 yılına kadar Samsung, 5nm yonga setlerinin seri üretimine başladı ve şimdi SAMSUNG (aracılığıyla wccftech), rakip TSMC’yi geride bırakan 3nm GAA yonga setlerini sevk etmeye başlayan ilk kişi oldu. Samsung, yalnızca 3nm çipleri ilk sunan değil, aynı zamanda bu çipleri GAA veya çok yönlü geçit transistörleriyle donatan ilk kişidir.

GAA ile akım akışı üzerinde daha fazla kontrol vardır ve bu da daha fazla güç verimliliği sağlar. TSMC, bu yılın ikinci yarısında sevkiyatına başlayacağı 3nm SoC’leri için hala önceki nesil FinFET transistör tasarımını kullanıyor. Dünyanın önde gelen bağımsız dökümhanesi, 2026’da müşterilerine teslim etmeyi umduğu 2nm işlem düğümü ile GAA’yı kullanmaya başlayacak.

Samsung, 3nm teslimatlarıyla TSMC’yi yenmek için o kadar hevesliydi ki, şirket birkaç Samsung yöneticisi ve Koreli politikacının katıldığı Gyeonggi-do’daki Hwaseong Kampüsünde bir tören düzenledi. 3nm SoC’lerin ilk partisi, akıllı telefon üreticilerine gönderilmiyor. Bunun yerine, güç tüketiminde büyük bir azalmaya izin veren yeni 3nm GAA ile kripto para madencileri tarafından kullanılan ekipmanlarda kullanılacaklar.

Sonunda, 3nm GAA işlem düğümü, Samsung’un kendi Exynos 2300’ü ve muhtemelen Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 SoC’leri de dahil olmak üzere akıllı telefon yongaları üretmek için kullanılacak. 3nm GAA işlem düğümü, 5nm düğüme kıyasla güç tüketimini %45’e kadar azaltacak ve performansı %23’e kadar artıracaktır. 3nm GAA yongalarının ikinci nesil varyantının, enerji tüketimini %50’ye kadar azaltması ve performansı %30’a kadar artırması bekleniyor.

Bunun sizin için anlamı, geliştirilmiş pil ömrüne sahip daha güçlü el cihazlarının bulunmasıdır.

Bir yayında Samsung, “25’inde, Samsung Electronics, Gyeonggi-do’daki Hwaseong Kampüsü’ndeki V1 hattında (yalnızca EUV) yeni nesil transistör GAA (Gate All Around) teknolojisini kullanan bir 3nm dökümhane ürünü sevkiyat töreni düzenledi. Etkinliğe Ticaret, Sanayi ve Enerji Bakanı Changyang Lee, tedarikçiler, masallar, Samsung Electronics DS bölüm başkanı, Kyeong-hyeon Kye (Başkan) ve yöneticiler ve çalışanlar dahil olmak üzere yaklaşık 100 kişi katıldı ve 3nm’ye katılan yöneticileri ve çalışanları teşvik etti. GAA Ar-Ge ve seri üretim.”



telefon-1