Samsung Elektronik Perşembe günü, Seul’ün güneyindeki Hwaseong’daki üretim tesisinde 3nm yarı iletken yongaların seri üretimine başladığını ve 3nm işlem düğümünde yonga yapan ilk yarı iletken üreticisi olduğunu duyurdu. Ve bu sefer, çip üreticisi kullanıyor GAA (Gate All Around) daha iyi güç verimliliği vaat eden FinFET yerine transistör mimarisi.
3nm çipler SAMSUNG Çoklu Köprü-Kanal FET’i kullanın (MBCFET), Samsung’un GAA teknolojisi. Şirket, yeni mimarinin FinFET’e kıyasla önemli bir performans artışı getirdiğini söylüyor. Samsung’un 3nm yongaları, sürücü akımı kapasitesini artırırken besleme voltajı seviyesini düşürerek güç verimliliğini artırır. Ayrıca, yeni 3nm çipler, yüksek performans ve düşük güç tüketimi uygulamaları için nanosheet transistörleri kullanacak ve mobil işlemcilere genişletilecek.
“Döküm endüstrisinin ilk High-K Metal Kapısı, FinFET ve EUV gibi yeni nesil teknolojilerin üretime uygulanmasında liderliğimizi göstermeye devam ederken, Samsung hızla büyüdü. Bu liderliği, MBCFET ile dünyanın ilk 3nm süreciyle sürdürmeye çalışıyoruz” dedi.
Ayrıca, “Rekabetçi teknoloji geliştirmede aktif inovasyona devam edeceğiz ve teknolojinin olgunluğunun elde edilmesini hızlandırmaya yardımcı olan süreçler oluşturacağız.”
Güney Koreli elektronik devi, 3nm yongalarının 5nm işlem düğümünde üretilen yongalardan yüzde 45 daha verimli olduğunu iddia ediyor. Ayrıca, 3nm yongalar, 5nm yongalardan yüzde 16 daha küçük bir yüzey alanına sahipken performansta yüzde 23’lük bir iyileşme sunar.
Samsung, ikinci nesil 3nm işlem düğümünün geliştirilmesine de başladı ve yeni nesil 3nm yongaların güç tüketiminde yüzde 50, performansta yüzde 30 artış sağlarken yüzey alanını yüzde 35 oranında azaltmasını bekliyor. .
Samsung şimdilik yendi TSMC ilk 3nm çipi çıkarırken. Ancak Samsung’un silikon üretim segmentindeki en büyük rakibi olan TSMC’nin de yakında 3nm yonga üretimine başlaması bekleniyor. Şimdi, hangisinin önce 3nm çipleri tüketici cihazlarına getirebileceğini görmek kaldı.
FacebookheyecanLinkedin