Samsung, TSMC’ye karşı bir avantaj elde etti ve çeşitli uygulamalar ve ürünler için bir dizi fayda sağlayan 3nm GAA yongalarının seri üretimini duyurdu. Koreli üreticiye göre, GAA teknolojisi FinFET’in sınırlarını aşıyor ve akıllı telefon SoC’leri için üretimi genişletmeyi planlıyor.
Samsung Electronics’in Başkanı ve Döküm İşleri Başkanı Dr. Siyoung Choi, aşağıdaki açıklamayla yeni mimariyi duyurmaktan gurur duyuyor.
“Döküm endüstrisinin ilk High-K Metal Kapısı, FinFET ve EUV gibi yeni nesil teknolojileri üretime uygulama konusunda liderliğimizi göstermeye devam ederken, Samsung hızla büyüdü. MBCFET™ ile dünyanın ilk 3nm süreci ile bu liderliği sürdürmeye çalışıyoruz. Rekabetçi teknoloji geliştirmede aktif inovasyona devam edeceğiz ve teknolojinin olgunluğunun elde edilmesini hızlandırmaya yardımcı olacak süreçler oluşturacağız.”
Samsung Ayrıca İkinci Nesil 3nm GAA Yongalarının Seri Üretimine Başlayarak Daha İyi Güç Verimliliği ve Performansı Masaya Getirmeyi Hedefliyor
Samsung, 3nm GAA yongalarını toplu olarak üretmek için, tescilli teknolojiyi ve daha geniş kanallara sahip nano tabakaları kullanmayı içeren farklı bir yöntem kullandı. Bu yaklaşım, daha dar kanallara sahip nanotelleri kullanan GAA teknolojilerinden daha yüksek performans ve geliştirilmiş enerji verimliliği sağlar. GAA, optimize edilmiş tasarım esnekliğine sahip olup, Samsung’un PPA (Güç, Performans ve Alan) avantajları sağlamasına olanak tanır.
Samsung, 5nm süreciyle karşılaştırıldığında, 3nm GAA teknolojisinin güç tüketimini yüzde 45’e kadar azaltabileceğini, performansı yüzde 23 oranında artırabileceğini ve alanı yüzde 16 oranında azaltabileceğini iddia ediyor. İlginç bir şekilde Samsung, 4nm süreciyle karşılaştırıldığında iyileştirmelerdeki farklılıklardan bahsetmedi, ancak basın açıklaması ikinci nesil 3nm GAA üretim sürecinin üzerinde çalışıldığını söylüyor.
Bu ikinci nesil süreç, güç tüketimini yüzde 50’ye kadar azaltacak, performansı yüzde 30 artıracak ve alanı yüzde 35 oranında azaltacak. Samsung, 3nm GAA’nın verim yüzdesi hakkında yorum yapmadı, ancak daha önce bildirdiğimize göre, işler düzelmedi, bunun yerine bir dalış yaptı. Görünüşe göre verim oranı yüzde 10 ila 20 arasındayken, Samsung’un 4nm’si yüzde 35’te kaldı.
Qualcomm’un, TSMC’nin 3nm süreci için kendi verim sorunlarıyla karşılaştığını varsayarak, Samsung’un 3nm GAA düğümü için rezervasyon yaptığı söyleniyor. Koreli üretici muhtemelen Qualcomm’a en son teknolojisinin kişisel deneme sürümlerini sağlayacak ve ikincisi memnun kalırsa, gelecekteki Snapdragon yonga setleri için siparişlerin TSMC’den Samsung’a geçtiğini görebiliriz.
TSMC’ye gelince, Apple’ın çok çeşitli Mac’ler için tasarlanan M2 Pro ve M2 Max SoC’leri için muhtemelen ayrıcalıklı muamele görmesiyle birlikte, bu yıl 3nm yongaların seri üretimine başlaması bekleniyor. Umuyoruz ki Samsung, eski ortaklıkları yeniden alevlendirmek için kendi yinelemesini önemli ölçüde geliştirmiş olurdu.
Haber kaynağı: Samsung Haber Odası