Bu küçük bir fark gibi görünebilir, ancak yongalar oluşturmak için kullanılan işlem düğümleri küçüldükçe, bu yongalarda kullanılan transistörlerin boyutu azalır. Bu, çok daha fazla sayıda transistörün belirli bir çip alanına ayakkabı çekilmesini sağlar. Bu bir çipin transistör yoğunluğu olarak bilinir ve yükseldikçe, bu yongalar daha güçlü ve enerji tasarruflu hale gelir. Teorik olarak, 3NM düğümü kullanılarak üretilen bir çip daha iyi bir performans sergileyecek ve 5nm veya hatta 4nm’de inşa edilmiş bir çipten daha az enerji kullanacaktır.
2028’de TSMC, ABD’de 3nm cips üretecek yeni bir fab açacak. TSMC, ABD’de “2030’dan önce” 2nm cips inşa edeceğini söylüyor. Bu şu anda en gelişmiş düğümdür ve TSMC, bu yıl bir süre sonra Tayvan’da 2nm silikon üretecek. Şirket, 2030 yılına kadar ABD’de 2nm cips inşa etme hedefine ulaşabilirse, Amerikan Fabs, TSMC’nin Tayvan’ın 2027-2030’dan 1,4Nm’si kullanabileceği en yeni süreç düğümüne yaklaşabilir.
Eski Intel CEO’su Pat Gelsinger, TSMC’nin ABD fabs’ın ABD’yi yarı iletken üretiminde bir dünya lideri haline getireceğine inanmıyor. Kısa süre önce ABD’nin herhangi bir Ar -Ge ile ilgilenmemesi ile ülkenin yarı iletken liderliği talep edemeyeceğini söyledi. “TSMC’nin tüm Ar -Ge çalışmaları Tayvan’da,” dedi Gelsinger, “ve bunu taşımak için herhangi bir duyuru yapmadılar.”
