Geleneksel DDR belleği belirli bir sıcaklık aralığında (genellikle 100 santigrat derece veya daha az) çalışır ve bu pencerenin ötesine geçmek potansiyel veri kaybına ve termal daralmaya neden olur. Michigan Üniversitesi’ndeki araştırmacılar en az 500 Fahrenheit (250 santigrat derece) çalışma penceresine sahip olan ve 1.100 Fahrenheit derecenin (600 santigrat derece) üzerinde çalışabilen, tam anlamıyla DDR belleğinin tam tersi davranan yeni bir bellek mimarisi geliştirdiler.

Bu alışılmışın dışında bellek tasarımı, verileri olağanüstü sıcaklıklarda depolamak için pillerde bulunan özelliklerden yararlanır. Veriler, negatif yüklü oksijen atomlarının hafıza içindeki iki katman (yarı iletken tantal oksit ve metal tantal) arasında hareket ettirilmesiyle depolanır. Bu oksijen atomları, iki (farklı) tantal tabakası arasında, bariyer gibi davranan katı bir elektrolit aracılığıyla aktarılır ve oksijen atomlarının bir tabaka ile diğeri arasında sıçramasını önler.