SK hynix söz konusu Çarşamba günü geç saatlerde, yüksek performanslı ve yüksek kapasiteli SSD’leri etkinleştirmeyi vaat eden 238 katmanlı “4D” (aslında bir 3D formu) NAND bellek cihazlarının seri üretimine başladığını duyurdu. Yeni yongalar, 2400 MT/sn veri aktarım hızına sahiptir ve PCIe 5.0 x4 arayüzleri içeren ve 12 GB/s sıralı okuma/yazma hızı sunan yeni nesil en iyi SSD’lere, yüksek hızlı modellere güç sağlamak için kullanılabilir. daha yüksek.
Performanslı bir bilgisayar meraklısının bakış açısından, SK hynix’in 238 katmanlı TLC NAND IC’sinin en önemli avantajı, 2400 MT/sn’lik arayüz hızıdır. Bu, önceki nesle göre %50’lik bir artışı temsil ediyor ve 1600 MT/sn arabirime sahip 3D NAND cihazları bir PCIe’yi doyurmak için aktarım hızlarını etkinleştiremediğinden, 12 GB/sn ve daha yüksek sıralı okuma/yazma hızlarına sahip SSD’ler oluşturmak için gerekli olan bir şey. Gen5 x4 arayüzü.
Şirket, SK hynix’in ilk 238 katmanlı 3D NAND cihazının, şirketin 176 katmanlı 3D NAND düğümünde üretilen karşılaştırılabilir bir cihazdan %34 daha yüksek üretim verimliliğine sahip bir 512Gb (64GB) 3D TLC cihazı olduğunu söyledi. 238L TLC NAND IC’nin verimlerinin yüksek olduğu varsayılırsa, bit maliyetlerini önemli ölçüde — %34’e varan oranlarda — azaltacak ve dolayısıyla cihazın maliyet rekabetçiliğini artıracaktır. Yeni cihazların öncekilerden daha küçük olmasının yanı sıra okuma sırasında güç tüketimini %21 oranında azalttığı söyleniyor, bu da akıllı telefonların yanı sıra mobil PC’ler için de bir avantaj.
SK hynix için tipik olan 238 katmanlı NAND cihazı, bir şarj tuzağı flaşı (CTF) tasarımına sahiptir ve üreticinin “4D” NAND olarak etiketlediği bir özellik olan, şirketin tescilli çevresel hücre altı (PUC) düzenini kullanır. Bu özel düzen, bellek cihazlarının boyutunun küçültülmesine izin verir, böylece SK Hynix’in NAND’ı için maliyetin daha da düşürülmesini kolaylaştırır.
SK hynix, yeni 238 katmanlı belleği önce akıllı telefonlar için kullanmayı ve ardından kullanımını diğer ürün portföyüne yaymayı planlıyor.
Şirket tarafından yapılan açıklamada, “SK hynix, 238 katmanlı NAND teknolojisini benimseyen, PC depolama cihazları olarak kullanılan akıllı telefonlar ve istemci SSD’ler için çözüm ürünleri geliştirdi ve Mayıs ayında seri üretime geçti.” “Şirketin hem 238-katmanlı NAND hem de önceki nesil 176-katmanlı NAND için fiyat, performans ve kalitede birinci sınıf rekabet gücü elde ettiğini düşünürsek, bu ürünlerin yılın ikinci yarısında kazançlarda iyileşme sağlamasını bekliyoruz.”
