Samsung, 200’den fazla katmana sahip olacak ve katı hal depolama cihazları için daha yüksek performans ve bit yoğunlukları sağlayacak 8. Nesil V-NAND belleğinin seri üretimine başlamaya hazırlanıyor.
Samsung, 2013’te 24 katmanlı V-NAND flash belleğiyle rakiplerinden yıllarca öndeydi ve diğer şirketlerin yetişmesi oldukça zaman aldı. Ancak o zamandan beri, Güney Koreli dev, yüzlerce katmanla NAND oluşturmak zorlaştığı için biraz daha temkinli hale geldi. Bu yıl Micron ve SK Hynix, 232 katmanlı ve 238 katmanlı 3D TLC NAND cihazlarıyla Samsung’u yendi. Ancak V-NAND geliştiricisi yerinde durmuyor ve 236 katmanla 3D NAND belleğin (elbette V-NAND markalı olacak) toplu üretimine başlamaya hazırlanıyor. İş Kore (yeni sekmede açılır).
Samsung, 2021’in ortalarında 200’den fazla katmana sahip V-NAND belleğinin ilk örneklerini üretti, bu nedenle artık bu tür cihazların toplu üretimini başlatmak için yeterli teknoloji deneyimine sahip olması gerekiyor. Ne yazık ki, bu noktada Samsung’un yaklaşmakta olan 8. Nesil V-NAND yongalarının kapasitesini söylemek zor. Yine de, şirketin yeni nesil NAND belleğiyle hedeflerinden birinin, yeni nesil en iyi SSD’leri etkinleştirmek için daha yüksek arayüz hızları ve diğer performans özellikleri olacağından eminiz.
Bir PCIe Gen5 arabirimine ve UFS 3.1 ve 4.0 arabirimlerini destekleyen akıllı telefonlara sahip gelecek masaüstü ve dizüstü bilgisayarlar için rekabetçi katı hal depolama çözümleri oluşturmak için Samsung, yüksek hızlı arabirime sahip NAND cihazlarına ihtiyaç duyuyor. Bugünün Samsung’un V7-NAND’ı zaten 2.0 GT/s’ye kadar arayüz hızlarına sahip, ancak şirketin V8-NAND ile arayüz hızını daha da artırmasını bekliyoruz.
Samsung’un 8. Nesil V-NAND’ından beklenebilecek bir diğer şey, program blok boyutunun artması ve yüksek kapasiteli 3D NAND cihazlarının performansını optimize eden okuma gecikmesinin azalmasıdır. Ama ne yazık ki, kesin özellikleri bilinmiyor.
Artan sayıda NAND katmanı bazen flash bellek ölçeklendirmenin kolay bir yolu olarak kabul edilse de, öyle değildir. NAND katmanlarını daha ince (ve dolayısıyla NAND hücrelerini küçük) yapmak, yükleri güvenilir bir şekilde depolamak için yeni malzemeler kullanmayı gerektirir. Ayrıca, yüzlerce katmanı gravürlemek zor olduğundan (ve belki de ekonomik olarak mümkün olmadığından), 3D NAND üreticilerinin yüzlerce katmanla 3D NAND oluşturmak için dizi istifleme gibi teknikleri benimsemesi gerekir. Samsung henüz 176 katmanlı V7-NAND ile dizi yığınlamayı benimsemedi, ancak teknolojinin 236 katmanlı V8-NAND için kullanılıp kullanılmayacağı henüz belli değil.
