Samsung’un QLC 9. nesil V-NAND’ı, yapay zeka iş yükleri için güç verimliliğini sürdürürken artırılmış depolama kapasitesi ve performansı sunacak.
Samsung, yapay zeka uygulamalarına yönelik 9. Nesil Dört Seviyeli Hücre V-NAND’ın seri üretimi için çeşitli teknolojiler uyguluyor
Birkaç ay önce Samsung, bit yoğunluğunda %50 artış sunan ilk TLC (Üç Seviyeli Hücre) 9. nesil V-NAND’ın seri üretimine başladı. Bugün, yapay zeka uygulamaları için yüksek performanslı ve güç açısından verimli çalışma sağlayan QLC 9. nesil V-NAND’ın seri üretimini duyurdu. QLC V-NAND, çeşitli teknolojilerin birleşimiyle üretiliyor ve bu da şu anda mümkün olan en yüksek katman sayısını sağlıyor.
QLC veya Dört Seviyeli Hücre V-NAND, belleğin kompakt boyutta yüksek yoğunluğa ulaşabilmesini sağlamak ve okuma ve yazma işlemleri için daha iyi güvenilirlik sunmak üzere Kanal Deliği Aşındırma, Tasarlanmış Kalıp ve Tahmine Dayalı Program sunar.
Genel Müdür Yardımcısı ve Flash Ürün ve Teknoloji Başkanı SungHoi Hur şunları söyledi:
TLC sürümünden sadece dört ay sonra QLC 9. nesil V-NAND’ın başarılı seri üretimine başlamak, yapay zeka çağının ihtiyaçlarını karşılayan eksiksiz bir gelişmiş SSD çözümleri serisi sunmamıza olanak tanıyor.
Ayrıca kurumsal SSD pazarında hızlı bir büyüme görülmesi ve yapay zeka uygulamalarını çalıştırmak için daha iyi donanımlara olan talebin artması nedeniyle Samsung’un depolama segmentindeki liderliğini sağlamlaştırma misyonunu da belirtti. Şirketin rakiplerinin önünde kalmasını sağlamak için QLC 9. nesil V-NAND, markalı tüketici ürünleriyle başlayacak ve ürün yelpazesini UFS, PC’ler ve Sunucu SSD’leri içerecek şekilde genişletecek.
- SAMSUNGÇift yığınlı yapıyla sektördeki en yüksek katman sayısını elde etmek için Kanal Deliği Aşındırma teknolojisi kullanıldı
- QLC V-NAND, önceki nesil QLC V-NAND’a göre %86 daha yüksek yoğunluğa sahiptir
- Tasarlanmış Kalıbın benimsenmesi, veri saklama performansını önceki sürümlere kıyasla yaklaşık %20 artırdı ve bu da ürün güvenilirliğinin artmasına yol açtı.
- SAMSUNGQLC 9. nesil V-NAND, bu teknolojideki gelişmeler sayesinde yazma performansını iki katına çıkardı ve veri giriş/çıkış hızını %60 artırdı.
- Veri okuma ve yazma güç tüketimi, kullanımıyla sırasıyla yaklaşık %30 ve %50 azaldı. Düşük Güçlü Tasarım teknoloji.
Başından sonuna kadar Kanal Deliği Aşındırmasayesinde şirket, yığılmış V-NAND hücrelerinde veri aktarımına izin vermek için dikey kanallar oluşturabiliyor. Samsung, bu teknolojiyle önceki NAND belleklerine kıyasla daha yüksek katman sayısı sunabiliyor. Ayrıca Çift Yığın Yapısı ile bellek katmanları çip içerisinde iki ayrı yığın halinde düzenlenerek yoğunluk %86 artırılırken daha düşük ısı üretimi sağlanacak.
Sonraki Tasarlanmış Kalıp Kelime Satırlarının aralığını ayarlayacak ve katmanlar arasında hücrelerin tekdüzeliğini sağlayacak teknoloji. Bu, QLC V-NAND’ın tutarlı ve güvenilir performans elde etmesine yardımcı olacak ve veri saklamada neredeyse %20’lik bir iyileşme sunacak. Kullanılan diğer bir teknoloji ise Tahmin Programı, bu da verilerin NAND hücrelerine yazılma şeklini optimize edecek. Bu, yazma işlemi sırasında hücrelerin durumunun tahmin edilmesi yoluyla gereksiz değişiklikleri önleyecek ve hem veri okuma hem de yazmada yaklaşık %60 daha iyi performans elde edilmesini sağlayacaktır.
Samsung, güç tasarruflu ve yüksek performanslı NAND sunarak yapay zeka pazarının taleplerini karşılama yolculuğuna çıkıyor ancak aynı zamanda mobil ve bilgi işlem cihazları serisini de genişletiyor.
Haber Kaynağı: SAMSUNG
