Geçtiğimiz birkaç ay içinde HBM4 belleğini birçok kez duyduk ve bu hafta Samsung, HBM4’ün 2025 yılına kadar tanıtılmasını beklediğini açıkladı. Yeni bellek, HBM3’ün 1024-bit belleğinin iki katı genişlikte, yığın başına 2048 bitlik bir arayüze sahip olacak. biraz.
“İleriye baktığımızda, HBM4’ün iletken olmayan film (NCF) montajı ve hibrit bakır bağlama (HCB) gibi geliştirme aşamasındaki yüksek termal özellikler için optimize edilmiş teknolojilerle 2025 yılına kadar piyasaya sürülmesi bekleniyor.” SangJoon Hwang, EVP ve DRAM Ürün Başkanı Samsung Electronics’teki Teknoloji Ekibi ve Teknoloji Ekibi, bir şirketin blog yazısında şunu yazdı.
Samsung, HBM4’ün 2025 yılına kadar piyasaya sürülmesini beklese de sektörün teknolojiye yönelik oldukça fazla hazırlık yapması gerekeceğinden üretimi muhtemelen 2025-2026’da başlayacak. Bu arada Samsung, müşterilerine HBM3E bellek yığınlarını yığın başına 1,25 TB/s bant genişliği sunacak 9,8 GT/s veri aktarım hızıyla sunacak.
Bu yılın başlarında Micron, ‘HBMNext’ belleğin 2026 yılı civarında ortaya çıkacağını, yığın başına 32 GB ile 64 GB arasında kapasiteler ve yığın başına 2 TB/s veya daha yüksek en yüksek bant genişliği sağlayacağını açıklamıştı; bu, HBM3E’nin yığın başına 1,2 TB/s’ye göre belirgin bir artıştı . 64GB’lık bir yığın oluşturmak için 32GB bellek aygıtlarına sahip 16-Hi yığına ihtiyaç duyulacaktır. 16-Hi yığınlar HBM3 spesifikasyonu tarafından bile desteklense de şu ana kadar kimse bu tür ürünleri duyurmadı ve öyle görünüyor ki bu kadar yoğun yığınlar yalnızca HBM4 ile piyasaya çıkacak.
16-Hi yığınlar da dahil olmak üzere HBM4 bellek yığınları üretmek için Samsung’un, SangJoon Hwang’ın bahsettiği birkaç yeni teknolojiyi geliştirmesi gerekecek. Bu teknolojilerden biri NCF (iletken olmayan film) olarak adlandırılıyor ve TSV’leri lehim noktalarında izolasyondan ve mekanik darbelerden koruyan bir polimer katmandır. Bir diğeri, DRAM aygıtları arasındaki mesafeyi en aza indirmek ve 2048 bitlik bir arayüz için gereken daha küçük çıkıntıları mümkün kılmak için geleneksel lehim yerine bakır iletken ve oksit film yalıtkanı kullanan bir bağlama teknolojisi olan HCB’dir (hibrit bakır bağlama).
