Samsung’un bu yılın ilerleyen zamanlarında ilk HBM4 bellek cihazlarını banttan çıkarması ve örnekleme çalışmalarının 2025’in başlarında başlaması bekleniyor. nN Elektrikli Raporda, şirketin HBM4 DRAM aygıtlarını üretmek için en son nesil 10nm sınıfı DRAM üretim sürecini ve HBM4 taban kalıplarını üretmek için 4nm sınıfı mantık teknolojisini kullanmasının öngörüldüğü belirtiliyor.
Samsung ilk HBM4 bellek aygıtlarını ve taban kalıplarını bantladıktan sonra, bellek ve mantık fabrikaları bunları üretmek ve birleştirmek zorunda kalacak ve bu da birkaç ay veya daha fazla sürecek. Bundan sonra, Samsung bu HBM4 yığınlarını dahili olarak test edecek ve ardından bunları başlıca müşterileriyle örneklemeye başlayacak, HBM4 durumunda bu, AI ve HPC işlemcilerinin önde gelen üreticileri anlamına geliyor. Samsung, HBM4 zaman çizelgesi hakkında yorum yapmayı reddetti. Samsung, HBM4’ün seri üretimine 2025’in sonlarında başlayabilir, ancak teknolojiyi kullanan gerçek ürünlerin ne zaman ortaya çıkacağı henüz belli değil.
Raporda, şirketin HBM4 bellek katmanlarını yapmak için en son nesil 10nm sınıfı DRAM üretim sürecini (10c nm, 12nm) ve 2048 bit arayüzlü HBM4 taban kalıplarını yapmak için 4nm sınıfı mantık üretim düğümünü kullanacağı iddia ediliyor. Bu kadar ince bir üretim teknolojisiyle yapılan taban kalıpları, Samsung’un kendi SAINT-D’si veya benzer teknikler kullanılarak doğrudan işlemcilere takılabilir.
Yaklaşan HBM4 standardı 24 Gb ve 32 Gb katmanları ve 4-yüksek, 8-yüksek, 12-yüksek ve 16-yüksek TSV yığınlarını tanımlayacak. Samsung’un ilk HBM4 modüllerinin yapılandırmasını tahmin etmek zor olsa da raporda şirketin gelecek yılın ikinci yarısında 12-Yüksek HBM4 yığınlarını seri üreteceği belirtiliyor. Bu modüllerin hız bölmeleri birden fazla faktöre bağlı olacak olsa da JEDEC’in önceden belirlenmiş hız bölmeleri 6,4 GT/s’ye kadar ulaşıyor.
Raporda, Samsung’un baş rakibi SK Hynix’in de yılın ikinci yarısında HBM4’ü seri üretmeye hazırlandığı belirtiliyor ancak SK Hynix’in HBM4 örneklemesinin ne zaman başlayacağı açıklanmıyor. SK Hynix başlangıçta HBM4 bellek katmanları için 1b DRAM teknolojisini kullanmaya yönelirken, Samsung’un 1c üretimine geçme kararı yeniden değerlendirmeye yol açtı. Elektrik.
SK hynix, HBM4 bellek modülleri için taban kalıpları üretmek üzere TSMC ile iş birliği yapacak. TSMC, Avrupa Teknoloji Sempozyumu 2024’te, gelişmiş 12FFC+ (12nm sınıfı) ve N5 (5nm sınıfı) işlem teknolojilerini kullanarak bu taban kalıplarını üretme planlarını açıkladı. TSMC’nin N5 mantık teknolojisi, belleği doğrudan CPU’lara ve GPU’lara yerleştirmek için daha yoğun mantık entegrasyonuna ve daha ince bağlantı aralıklarına olanak tanıyacak. Buna karşılık, TSMC’nin 12FFC+ işlemiyle yapılan taban kalıpları, belleği ana işlemcilere bağlamak için silikon ara parçalar kullanan uygun maliyetli taban kalıplarına olanak tanıyacak.
