Samsung, 0,55 sayısal açıklığa (Yüksek-NA) sahip ilk EUV litografi aracını 2024’ün 4. çeyreği – 2025’in 1. çeyreği arasında kurmaya hazırlanıyor Seul Ekonomi Günlüğü, kaynaklarını göstererek. Şirket, High-NA EUV araçları tarafından etkinleştirilen çözünürlükleri gerektiren yeni nesil işlem teknolojileri üzerinde çalışırken cihaz öncelikle araştırma ve geliştirme amaçları için kullanılacak. Samsung ayrıca Lasertec, JSR, Tokyo Electron ve Synopsys ile bir High-NA ekosistemi üzerinde çalışıyor.
Samsung’un ilk ASML Twinscan EXE:5000 High-NA litografi sistemi, şirketin mantık ve DRAM için yeni nesil üretim teknolojilerini geliştireceği Hwaseong kampüsüne kurulacak. Ünitenin 2025 ortalarında faaliyete geçmesi öngörülüyor. Sonuç olarak Samsung, ilk High-NA EUV aracını Intel’den yaklaşık bir yıl sonra faaliyete geçirecek, ancak yine de rakipleri TSMC ve SK hynix’in önünde olacak. Samsung’un High-NA EUV’yi seri üretime ne zaman dahil edeceği henüz belli değil, ancak on yılın ikinci yarısının çok içine kadar beklenmiyor.
Samsung, yüksek NA EUV teknolojisi etrafında sağlam bir ekosistem geliştirmeyi planlıyor. Yüksek NA EUV lito ekipmanını edinmenin yanı sıra Samsung, yüksek NA foto maskeleri için özel olarak inceleme ekipmanı geliştirmek üzere Japonya’nın Lasertec şirketiyle iş birliği yapıyor. Dijital ZamanlarSamsung’un, Lasertec’in yüksek NA EUV maske inceleme aracı Actis A300’ü satın aldığı bildirildi.
“Kullanımı [High-NA EUV-specific tool] yarı iletken maskeleri incelemek, geleneksel maskelere kıyasla kontrast oranını %30’dan fazla artırdı [EUV-specific tool]Samsung Electronics Yarıiletken Araştırma Enstitüsü’nden Dr. Min Cheol-ki, 2024 Litografi + Desenleme Sempozyumu’nda şunları söyledi:
DigiTimes’a göre Samsung, 2027’ye kadar High-NA EUV araçlarının ticari uygulamasına hazırlanmak için fotorezist üreticisi JSR ve aşındırma makineleri üreticisi Tokyo Electron ile de iş birliği yapıyor. Samsung ayrıca geleneksel devre tasarımlarından fotomaskelerdeki eğrisel desenlere geçmek için Synopsys ile çalışıyor. Bu değişikliğin, işlem teknolojilerinin daha da iyileştirilmesi için kritik olan, gofretlere basılan devrelerin hassasiyetini artırması bekleniyor.
ASML’nin High-NA EUV Twinscan EXE aracı, tek bir pozlamayla 13 nm’de maksimuma ulaşan mevcut Low-NA EUV sistemlerini önemli ölçüde iyileştirerek 8 nm çözünürlüğe ulaşmaya ayarlanmıştır. Bu gelişme, transistörleri yaklaşık 1,7 kat daha küçük, transistör yoğunluğunun neredeyse üç katı yapacak. Low-NA sistemleri de bu çözünürlük ve yoğunluk seviyesine ulaşabilse de, maliyetli ve karmaşık çift desenleme sürecini gerektirir. High-NA EUV teknolojisine geçişin, çift desenleme ihtiyacını ortadan kaldırması, üretimi basitleştirmesi, potansiyel olarak verimi artırması ve maliyetleri düşürmesi bekleniyor.
Bu 8nm kritik boyutlara ulaşmak, 3nm altı işlem teknolojilerine sahip yongalar üretmek için kritik öneme sahiptir. Yine de, 2nm sınıfı düğümlerde, neredeyse tüm yonga üreticileri çift desenleme kullanacaktır. Intel ayrıca 20A düğümü için desen şekillendirme araçlarını benimsiyor. Amerikan yonga devi, yalnızca 14A düğümüyle High-NA EUV kullanmayı planlıyor.
Bu arada, yüksek NA’ya geçiş kendi zorluklarını da beraberinde getiriyor. Yüksek NA EUV araçları daha pahalıdır (380 milyon dolar – 400 milyon dolar) ve yarı yarıya bir görüntüleme alanına sahiptir, bu da çip tasarımında önemli değişiklikler gerektirecektir. Ek olarak, yüksek NA EUV sistemlerinin düşük NA sistemlerine kıyasla daha büyük olması, çip üreticilerinin bu yeni makineleri barındıracak şekilde fabrika düzenlerini yeniden düşünmeleri gerekeceği anlamına gelir.
