SAMSUNG Kore elektronik devinin yarı iletken bölümünün küçük yapısal genişliğe sahip yongaların üretiminde verimi artırmada büyük sorunlar yaşadığına dair son zamanlarda tekrar tekrar ortaya çıkan söylentilerle çelişiyor. Doğru yoldasın.
Samsung’un geçen hafta en son iş rakamlarını açıklarken açıkladığı gibi, yapı genişliği beş nanometre veya daha az olan işlemcilerin üretiminden elde edilen verim şu anda “dengeleniyor”. Bu arada, Samsung temsilcileri somut rakamlar vermeden 5 nanometre üretiminin “olgun” bir seviyeye ulaştığını söyledi.
Şirket, dört nanometre yapı genişliğine sahip proseslerde üretimin “ilk hızlanma sürecinde bazı gecikmeler” olduğunu kabul etti. Bununla kastedilen, daha küçük talaşların veriminin umulduğu kadar hızlı arttırılamamasıdır. Yeni bir üretim sürecine geçerken yüksek düzeyde hatasız talaş elde etmek genellikle zaman alır.
3nm geliştirme gecikti ancak tekrar rayına oturdu
Şirket, yapısal genişliği sadece 3 nanometre olan yongalar için yeni çepeçevre kapı süreci üzerinde çalışırken, başlangıçtaki sorunların artık üstesinden gelindiğini ve verimi artırmak için yeniden çalışmaların yapıldığını söylüyor. Gelişmenin her adımı ayrıntılı olarak incelenecek, böylece rampa aşamasının kısaltılması umulacak.
Samsung, ilk 3 nanometre çiplerin büyük ölçekli üretimine bu yılın sonlarında başlamayı planlıyor ve bu da onu daha küçük çipleri seri üreten ilk üretici haline getiriyor. Ana rakip TSMC, yakın zamanda 3 nm çipler üzerinde çalışırken hafif gecikmeler olduğunu ima etmişti.
Samsung, son teknoloji çiplerin üretimindeki verim normal seviyeye ulaşmadığı için bir süredir TSMC’ye müşteri kaybediyor. Qualcomm şimdiden TSMC’den Snapdragon 8 Gen 1’in yeni bir çeşidini sipariş etti, AMD, Nvidia ve diğer çeşitli müşteriler de TSMC’den yüksek kapasite kotaları aldı ve böylece Samsung tarafından üretilen çip paylarını azaltıyor.
