Kioksi ve Sandisk, yeni nesil flaş belleği üretimi için teknolojiyi sundu. Şirketler, hızlandırılmış bir arayüz ve artan enerji verimliliği ile 218 katmanlı 3D NAND Mapier’in geliştirilmiş bir versiyonunu duyurdu ve ayrıca 332 katman teknolojisinin geliştirilmesi için planları paylaştı.
Ortak girişimdeki ortaklar, BICS teknolojisinin geliştirilmesinde önemli ilerlemeler gösterdi. Yeni dokuzuncu nesil (BICS 9), mevcut 218 katmanlı bellek modülü ile birlikte CMOS’un mantıksal katmanında geliştirilmiş bir NAND arayüzü kullanır. Bu, düşük enerji tüketimiyle daha yüksek performans elde etmeyi mümkün kıldı.
Önemli bir başarı, NAND çip arayüzünün hızında, DDR6.0 geçişinin kullanılması ve ayrı yönetim ve veri aktarım yollarına sahip SCA protokolünün kullanılması nedeniyle% 33’lük bir artış olmuştur. PI-LTT teknolojisinin kullanımı, girerken enerji tüketimini% 10 ve çıktı verileri sırasında% 34 azaltmıştır. Sonuç olarak, BICS 9 çip arayüzünün hızı 4.8 GB/s’ye ulaşmalıdır.
332 katmanlı ilan edilen BICS 10 teknolojisi özel ilgiyi hak ediyor. Artan katman sayısı ve hücrelerin optimize edilmiş düzenlemesi nedeniyle, kayıt yoğunluğu BIC 8 ve 9 nesillerine kıyasla% 59 artacaktır.
Çok katmanlı bellek teknolojilerinin geliştirilmesi bağlamında, Çinli şirket YMTC geleneksel olarak ürünlerinin her nesli katman sayısına öncülük ediyor. Uzmanlar, bir sonraki teknolojik atlamada, YMTC’nin 350 katmanı elde edebileceğini veya hatta aşabileceğini öne sürüyor.
