Les deux fournisseurs établissent une coentreprise pour la production de composants en carbure de silicium de 200 mm en Chine. A cet effet, une usine correspondante doit être construite en République populaire, comme l’a annoncé la STM mercredi à Genève.
Dans l’usine prévue à Chongqing, en Chine, la production devrait démarrer au quatrième trimestre 2025 et les capacités doivent être entièrement étendues d’ici 2028. La joint-venture fabriquera les composants exclusivement pour STMicroelectronics, a-t-il précisé. En parallèle, Sanan a l’intention de construire et d’exploiter une autre nouvelle usine de production de substrats SiC de 200 mm afin de mieux répondre aux besoins de la coentreprise.
Le carbure de silicium est notamment utilisé dans les voitures électriques. La dureté et les propriétés chimiques du matériau de formule chimique SiC permettent de réduire les pertes de puissance, de sorte que les voitures électriques peuvent continuer à rouler avec la même puissance de charge. Le patron de la STM, Jean-Marc Chery, s’attend à pouvoir réaliser un chiffre d’affaires de 5 milliards d’euros avec la technologie SiC d’ici 2030. La Chine est considérée comme un marché important car le nombre de voitures électriques sur les routes y augmente rapidement.
La STM et Sana investissent un total de 3,2 milliards de dollars (3 milliards d’euros) dans la collaboration prévue, dont plus des deux tiers seront investis au cours des cinq prochaines années. Les entreprises dépendent également des subventions du gouvernement chinois.
À EURONEXT à Paris, les actions de STMicroelectronics ont temporairement augmenté de 0,92 % à 42,13 euros.
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GENÈVE (dpa-AFX)
L’effet de levier doit être compris entre 2 et 20
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