La Stratégiques de la Chine dans le Développement des Semiconducteurs
La Chine se positionne clairement pour sortir victorieuse du conflit technologique avec les États-Unis, en se concentrant sur le développement de ses propres semiconducteurs. L’absence de circuits intégrés 100% chinois pourrait compromettre sa capacité militaire, son advancement en intelligence artificielle et la compétitivité de ses entreprises technologiques à moyen terme. Il est donc vital pour la Chine de concevoir rapidement ses propres équipements de lithographie à ultraviolets extrêmes (UVE), essentiels pour produire des circuits intégrés de pointe.
Ingénierie Inversée : Une Voie Prometteuse
Des ingénieurs de sociétés comme Huawei, SMIC et SMEE, en collaboration avec des chercheurs de l’Université Tsinghua et de l’Académie chinoise des sciences, explorent l’ingénierie inversée sur les machines de lithographie à ultraviolets profonds (UVP) d’ASML. Cette approche ne se limite pas à une simple imitation ; elle démontre la capacité d’innovation de la Chine, sans équivoque.
Une Boulimie de Brevets pour Contrecarrer ASML
Au mois de mars, Huawei, SMEE, et l’Université Tsinghua ont déposé un nombre exceptionnel de brevets liés aux équipements de lithographie. Cette démarche vise d’abord à protéger leur propriété intellectuelle, mais surtout à entraver ASML et ses principaux fournisseurs comme ZEISS et TRUMPF. En enregistrant des brevets sur la prochaine génération d’équipements, la Chine prend les rênes des développements futurs.
Innovation dans la Technologie SSMB-UVE
Parmi ces brevets, ceux déposés par l’Université Tsinghua incluent des innovations majeures sur la technologie SSMB-UVE (Micro-agrégats en état stationnaire pour la génération de radiations UVE). Cette technologie vise à produire de la radiance UVE indispensable pour la fabrication de chips avancés en utilisant un sincrotron, un type d’accélérateur de particules.
Perspectives Technologiques et Défis à Venir
Une des innovations décrites dans les brevets de recherche indique comment organiser les électrons dans un accélérateur de manière à émettre une lumière cohérente avec une longueur d’onde de 13,5 nm. Si, dans la décennie à venir, la technique de vaporisation par laser d’ASML atteignait ses limites thermiques, les accélérateurs deviendraient la seule solution pour produire les 1 000 watts nécessaires à la technologie Hyper-NA, laissant la Chine en position dominante.
Litographie par Interférence et Autres Innovations
En parallèle, Huawei et SiCarrier travaillent sur des brevets de lithographie par interférence UV et sur les sources de lumière ultraviolettes de type LDP (décharge induite par laser). Une de ces innovations critique emploie l’interférométrie pour créer des motifs nanoparticles sans dépendre des lentilles complexes de ZEISS. Cela signifie qu’ASML et ses homologues pourraient se retrouver contraints de négocier des droits de propriété intellectuelle avec la Chine, ou de développer des alternatives, un processus qui représente un défi majeur.
La compétition technologique est donc un champ de bataille où la Chine se prépare à remporter des victoires stratégiques, renforçant ainsi sa position sur le marché mondial des semiconducteurs.