La perte de la plante de conditionnement de circuits intégrés que Broadcom devait construire en Espagne constitue un véritable coup dur pour le pays. Cette situation soulève plusieurs préoccupations majeures, en particulier car l’implantation d’une usine Broadcom aurait permis à l’Espagne de se faire une place sur le marché européen des substrats avancés . Une telle installation aurait également généré des emplois de haute qualification , renforcé l’écosystème technologique de la région et attiré de nouveaux investissements.
Comme nous l’avons indiqué récemment, ce projet semble aujourd’hui compromis. Les sources affirment que les négociations entre le gouvernement espagnol et la direction de Broadcom, entamées en juillet 2023, sont entrées dans une impasse il y a plusieurs mois. Il ne fait aucun doute que ce plan aurait grandement bénéficié à l’Espagne. Cependant, il existe encore d’autres projets ambitieux visant à développer l’industrie des semiconducteurs dans le pays et à accroître la compétitivité des entreprises espagnoles sur le marché des circuits intégrés.
Les initiatives prometteuses pour l’industrie des circuits intégrés
Parmi les projets en cours, l’ Innofab se distingue comme l’un des plus prometteurs pour le secteur. La photo de couverture de cet article montre le sincrotrón Alba , situé à Cerdanyola del Vallès, à proximité de Barcelone. Cet accélérateur de particules joue un rôle central dans le projet Innofab. Pour mieux comprendre, un sincrotrón est un dispositif qui permet d’analyser à un niveau atomique les propriétés de la matière, avec des applications variées allant des matériaux aux protéines.
L’institution impliquée dans ce projet est l’ Institut de Microélectronique de Barcelone (IMB-CNM-CSIC), reconnu pour son expertise en microélectronique et en techniques de fabrication avancées. Innofab sera une usine de semiconducteurs de dernière génération qui sera établie à proximité de ce sincrotrón. Le coût approximatif de cette installation est de 392 millions d’euros, financée par le plan Next Generation de l’Union Européenne ainsi que par les gouvernements espagnol et catalan.
Les travaux de construction de l’Innofab débuteront prochainement pour une production prévue en 2028.
La construction débutera bientôt, avec l’objectif de commencer la production de circuits en 2028. Ce projet est dirigé par l’Institut Catalan de Nanoscience et Nanotechnologie, situé près de l’Université Autonome de Barcelone. L’objectif est de développer des circuits intégrés de prochaine génération , y compris des semiconducteurs novateurs utilisant des matériaux avancés tels que le graphène , afin de s’éloigner de la traditionnelle production de silicium dominée par l’Asie et les États-Unis.
Une fois l’Innofab opérationnelle, le sincrotrón Alba permettra l’analyse à l’échelle atomique des matériaux susceptibles d’être utilisés dans la production de semiconducteurs. Toutefois, il est important de noter que l’Innofab ne produira pas de puces en grande quantité ; son rôle sera de développer des technologies avancées qui seront ensuite commercialisées dans d’autres installations. Cela justifie en partie le coût inférieur à 400 millions d’euros.
D’autres projets importants pour l’avenir
Outre l’Innofab, un autre projet significatif est le plan DioSiC , qui vise à développer les technologies nécessaires à la fabrication à grande échelle de plaques de carbure de silicium policristallin . Cette initiative appartient au programme PERTE Microélectronique et Semiconducteurs (PERTE Chip) et bénéficie d’un budget de 3,3 millions d’euros, dont 68 % sont couverts par l’État. Ce programme est d’autant plus crucial en raison des tensions géopolitiques actuelles entre les États-Unis et l’Europe d’un côté, et la Chine de l’autre.
Le projet DioSiC vise à réduire la dépendance de l’Europe envers les fournisseurs asiatiques.
Actuellement, l’Europe s’efforce de renforcer sa chaîne d’approvisionnement en semiconducteurs, un objectif d’autant plus urgent face à la dépendance croissante vis-à-vis des fournisseurs asiatiques. Posséder une usine de fabrication de substrats de carbure de silicium est donc crucial pour atteindre cet objectif, tant pour l’Espagne que pour l’Europe dans son ensemble.
Le projet DioSiC a été lancé fin 2023 et devrait durer 26 mois, avec une conclusion anticipée dès 2025 ou au début de 2026. Par ailleurs, il est essentiel de souligner que cette initiative ambitionne de réduire les coûts de production de circuits intégrés de 30 % tout en améliorant leur performance de 35 %.
Enfin, un autre projet clé pour l’Espagne est la création d’une nouvelle ligne pilote européenne dédiée à l’intégration et à l’encapsulation des composants électroniques . Cette initiative, également portée par l’IMB-CNM-CSIC, vise à renforcer l’intégration de systèmes technologiques avancés.
Renforcer la compétitivité de l’Europe dans l’industrie des semiconducteurs est un enjeu crucial.
En conclusion, les initiatives visant à accroître la compétitivité de l’Espagne dans le secteur des semiconducteurs sont essentielles. Il est crucial que le pays participe activement à ces projets, car cela représente une réelle opportunité de développement économique et d’innovation technologique. L’engagement de l’Espagne dans ce domaine permettra de renforcer sa position sur le marché européen, surtout face à la concurrence asiatique et américaine. Dans un contexte mondial en évolution rapide, l’industrie des semiconducteurs sera déterminante pour la souveraineté technologique de l’Europe.