Cambridge Üniversitesi’nin mühendislik departmanından çıkan bir yarı iletken şirketi olan Cambridge GaN Devices (CGD), B Serisi bir finansman turunda 19 milyon dolar (15,9 milyon sterlin) topladı.
2016 yılında kurulan CGD, transistörler tasarlayan, fabrikasyon olmayan bir yarı iletken şirketidir ve şirketin enerji dönüştürme verimliliğini artırarak elektroniği daha çevreci hale getirebileceğini iddia eder.
Cambridge GaN’in kurucu ortağı ve CEO’su Dr Giorgia Longobardi, “Hızla artan elektrifikasyon seviyeleriyle net sıfır karbonlu bir topluma geçerken, temiz, yenilenebilir elektrik kaynaklarına ve daha verimli dönüşüm yöntemlerine ihtiyacımız var” dedi.
CGD, güç anahtarlama frekanslarını ve yüksek sıcaklıkları sürdürmek için daha yüksek kapasiteye sahip silikona alternatif olan galyum nitrür (GaN) transistörlerde uzmanlaşmıştır.
Longobardi, “GaN, güç kayıplarını %50’den fazla azaltarak ve enerji dönüştürme verimliliğini %99’un üzerine çıkararak optimum dönüştürme çözümü sağlıyor” dedi.
Longobardi, “tüm veri merkezleri GaN’yi benimserse” bunun küresel olarak yılda 12.4TWh elektrik veya dokuz milyon ton CO2 tasarrufu sağlayacağını ekledi.
Şirket için en son finansman turu, Parkwalk Advisors ve BGF tarafından yönetildi. IQ Capital, CIC, Foresight Williams Technology ve Market Capital da katıldı.
Parkwalk’ta bir yatırımcı olan John Pearson, “CGD’nin teknolojisi, net sıfıra küresel geçişte önemli bir rol oynayabilir ve şimdiden gerçek dünya uygulamalarında bir etki yaratıyor” dedi.
“Parkwalk, şirketi ve onun etkileyici ve büyüyen ekibini desteklemeye devam edebildiği için çok mutlu. CGD’nin heyecan verici büyüme yolculuğundaki bir sonraki aşamayı görmek için sabırsızlanıyoruz.”
CGD daha önce Şubat 2021’de 6,8 milyon sterlinlik fon sağladı.
