Güney Koreli teknoloji devi SAMSUNG 8. Nesil Dikey NAND’ın (V-NAND) seri üretimine başladığını duyurdu. cips dünya çapında yeni nesil sunucu sistemlerinde genişletilmiş depolama alanı sağlamak için.
Şirkete göre çipler hem endüstrinin en yüksek depolama kapasitesine hem de en yüksek bit yoğunluğuna sahip.
“Daha yoğun, daha yüksek kapasiteli depolamaya yönelik pazar talebi, daha yüksek V-NAND katman sayıları için baskı yaparken, Samsung, yüzey alanını ve yüksekliğini azaltmak için gelişmiş 3D ölçekleme teknolojisini benimsedi ve normalde ölçek küçültmeyle oluşan hücreden hücreye paraziti önledi. ” SungHoi HurFlash Ürün ve Teknolojiden Sorumlu Başkan Yardımcısı Samsung Elektronik bir açıklamada söyledi.
Sekizinci nesil V-NAND’ımız hızla büyüyen pazar talebini karşılamaya yardımcı olacak ve gelecekteki depolama yeniliklerinin temelinde yer alacak daha farklı ürünler ve çözümler sunmamız için bizi daha iyi konumlandıracak.”
Göre Aç/Kapat DDR 5.0 arabirimi, Samsung’un en yeni 8. Nesil V-NAND’ı, saniyede 2,4 gigabite kadar giriş ve çıkış (G/Ç) hızına sahiptir (Gb/sn), önceki nesle göre 1,2 kat artış.
Toggle DDR (Çift Veri Hızı), veri okuma ve yazma işlemlerini destekleyen yüksek performanslı uygulamalar için bir NAND arabirimidir.
Şirket, 8. Nesil V-NAND’ın, yeni nesil kurumsal sunucularda depolama kapasitesini genişletmeye yardımcı olurken, güvenilirliğin özellikle kritik olduğu otomotiv pazarına da yayılmasını sağlayan depolama yapılandırmaları için temel taşı olarak hizmet etmesi bekleniyor.
FacebookheyecanLinkedin
