Intel’in sahip olduğu detaylı yoğunluk iyileştirmelerinin yanı sıra Intel 4’e göre %18’lik sağlam bir performans artışı sağlayan yeni nesil Intel 3 işlem düğümü.
Intel 3, Transistör Yoğunluğunu %10 Artırırken Aynı Güçte %18 Performans Artışı Sağlıyor
Intel 3 düğümü, dört yıl içinde beş düğüm sunma hedefine doğru hızla ilerleyen Chipzilla için çok önemli. Intel 3 düğümü, Intel 7 ve Intel 4 düğümlerinin halihazırda pazara çeşitli ürünlerde sunulması ve Intel 3’ün Computex 2024’te piyasaya sürülen Xeon 6700E “Sierra Forest” serisiyle müşterilere gelmesiyle bu yolculuğun orta adımını temsil ediyor.
Intel 3 işlem düğümünün masaya getirdiği büyük avantajlardan bazıları daha yoğun tasarım kitaplıkları, artan transistör sürücü akımı ve artan EUV kullanımıdır. Düğümün ayrıca 3-T, 3-E ve 3-PT olmak üzere üç çeşidi vardır. İlk iki varyasyon, Intel 4’e göre watt başına aynı +%18 performans artışına sahiptir; PT ise daha fazla performans sağlar ve kullanımı kolaydır. Dört düğüm çeşidinin tümü, 240nm yüksek performanslı ve 210nm yüksek yoğunluklu kitaplıkları destekler.
Ayrıca 3/3-T’de Through-Si Via, 3-E ve 9um aralıklı TSV için 1,2V doğal ve Derin N-kuyu desteği ve 3-PT’de hibrit bağlama desteği gibi bir dizi spesifik özelliğe sahiptirler. 3-E. 3/3-T düğümü sunucu, istemci ve temel kalıp uygulamalarına hizmet ederken 3-E yonga seti ve depolama pazarını hedef alacak. Son olarak 3-PT, AI/HPC uygulamalarına ve genel bilgi işlem ürünlerine hizmet edecek.
Basın bülteni: Intel Foundry’de, Moore Yasasını genişletmek ve heyecan verici yeni uygulamalar için müşterilerimizin eline daha fazla yetenek sunmak için yenilikçi teknolojilerden yararlanmaya kendimizi adadık.
Onlarca yıldır, 2005’te gergin silikonun, 2009’da yüksek k ve metal kapı yığınının piyasaya sürülmesi ve 2011’de FinFET mimarisiyle transistörün üçüncü boyuta getirilmesi de dahil olmak üzere, önemli dönüm noktalarında transistör teknolojileriyle sektöre liderlik ettik. Bugün yapay zeka ve süper bilgisayarlar gibi geleceğin alanlarını şekillendirecek önemli yeni transistör yeniliklerine öncülük etme mirasımızı sürdürüyoruz.
Şimdi, nihai FinFET tabanlı düğümümüz olan Intel 3 süreç düğümünün ayrıntılarını yıllık VLSI Sempozyumunda paylaşmanın heyecanını yaşıyoruz.
Temel Intel 3 işlem düğümü, tüm işlemci çekirdeği için aynı güçte %18’e kadar daha iyi performans, esnek metal bağlantı seçenekleri seti ve önceki nesil Intel 4 düğümüne göre %10’a kadar daha fazla yoğunluk sunar (1).
Bu, tüm nesil bir performans gelişimini temsil ediyor; yalnızca bir yıl içinde muazzam bir ilerleme. Bunu, transistörden metal yığına kadar sürecin neredeyse her alanında dikkatli optimizasyonlar yaparak başardık. Mütevazı yoğunluk kazanımları, geliştirdiğimiz yeni bir dizi yüksek yoğunluklu standart hücre kütüphanesinden geliyor.
2021’de Intel, süreç teknolojisi liderliğini yeniden kazanmak için yola çıktı ve bir dizi agresif dönüm noktasına sahip dört yıllık bir yolculukta (5N4Y) beş düğümümüzü ortaya koydu. 5N4Y yol haritası teknik liderliği güçlendirmeye ve dikkatli ve ölçülü risk alma yoluyla tutarlı uygulama sergilemeye odaklanıyor. Bu aynı zamanda tüm sektörü ileriye taşımakla da ilgilidir; şirketimizi tasarım, paketleme ve üretim kapasitelerimizin genişliğini dökümhane müşterilerine sunacak şekilde dönüştürürken.
Intel 3 düğümü bizi 5N4Y yolculuğumuzun bitiş çizgisine yaklaştırıyor ve tutarlı uygulama sağlamak için önceki başarılarımızı temel alıyor. Önceki Intel 4 düğümüyle, transistörün ön ucundan arka uçtaki yollara ve metal ara bağlantılara kadar sürecin birçok farklı yönünü etkileyen karmaşık bir teknoloji olan EUV litografiyi tanıttık. Intel 4 düğümü, AI PC çağını başlatan ve dokuz milyondan fazla birim sevk eden Intel Core Ultra işlemci ailesinde kullanılıyor.
Planlandığı gibi Intel 3 düğümü, üretime hazırlık aşamasına geçen yılın sonunda ulaştı. Intel işlem teknolojisinin tekrar yoluna girdiğini daha da gösteren bu düğüm, Oregon’daki Ar-Ge tesisimizde yüksek hacimli üretime ulaştı ve şu anda Intel Xeon 6’daki sunucu işlemcileri de dahil olmak üzere dökümhane müşterilerimiz için Leixlip, İrlanda fabrikamızda yüksek hacimli çipler üretiyor. platformu.
Intel 3 işlem düğümü, riski azaltmak ve tutarlı yürütmeyi mümkün kılmak için tasarlanan ve aşamalı olarak birlikte geliştirilen dört değişken içerir. Bu varyantlar şunları içerir:
- Intel 3-T işlem düğümü, temel süreci temel alır ve birden fazla bilgi işlem ve bellek bileşeninin tek bir platformda entegre edilmesinin gerektiği görüntü işleme, yüksek performanslı bilgi işlem ve yapay zeka gibi 3D yığınlama uygulamaları için silikon geçiş yolları (TSV’ler) sunar. tek paket.
- Intel 3-E düğümü, aileye genişlik katan harici arayüzler, analog ve karışık sinyal özellikleri için zengin bir I/O seti ekler.
- Son olarak, Intel 3-PT düğümü tüm bu ilerlemeleri tek bir işlemde birleştiriyor ve daha yüksek yoğunluklu 3D için daha ince aralıklı 9um TSV’ler ve hibrit birleştirme seçeneklerinin yanı sıra tasarımcılar için üstün kullanım kolaylığının yanı sıra daha da fazla performans geliştirmesi ekliyor -istifleme. Intel 3-PT düğümünün çok çeşitli uygulamalar için benzersiz bir performans, esneklik ve maliyet kombinasyonu sunduğuna inanıyoruz. Nihai FinFET tabanlı süreç düğümü olarak, hem iç hem de dış dökümhane müşterileri için bir dayanak noktası olacak ve uzun yıllar boyunca yeni teknolojilerle birlikte kullanılacak.
Intel 3 düğümü aynı zamanda Intel Foundry’nin ilk ileri teknoloji süreç düğümüdür; çok çeşitli tasarım ve ürün uygulamalarına hizmet etmek için sürekli olarak gelişen teknoloji özellikleri ve performans iyileştirmeleriyle dökümhane müşterileri için uzun ömürlü bir düğüm olarak hizmet vermek üzere tasarlanmıştır.
Özetle Intel 3 teknolojisi, FinFET işlem düğümlerinin en üst düzey ailesini sağlar ve tam nesil performans ve Intel 4 düğümünden %10 daha iyi yoğunluk sunar. Intel 3 düğümü, 2023’ün dördüncü çeyreğinde üretime hazır hale geldi ve şu anda Intel Xeon 6 işlemci ailesi için yüksek hacimli üretimde bulunuyor. 5N4Y planımıza ilişkin tutarlı uygulama sözümüzü yerine getiriyoruz ve önümüzdeki yıl tanıtılacak Intel 20A ve Intel 18A süreç düğümleriyle RibbonFET’e ve Angstrom dönemine geçişimizin önünü açıyoruz.
