Linked In’deki bir Apple çalışanının, Apple’ın TSMC’nin yeni nesil 2nm işlem düğümü kullanılarak üretilecek çipleri tasarlamaya başladığını iddia eden yeni bir raporun kaynağı olduğu iddia ediliyor. Kore web sitesinde yayınlanan sızdırılmış slaytlar
gamma0burst ve “X” adlı bir tweet aracılığıyla gönderildi
sızıntı yapan Revegnus (aracılığıyla
MacSöylentiler) yoğun şekilde düzenlenmiş Apple slaydı, A15 Bionic gibi eski 5 nm yongalara, A17 Pro gibi 3 nm yongalara ve gelecekteki 2 nm yonga setine atıfta bulunuyor.
Bir çip oluşturmak için kullanılan işlem düğümünün boyutu “küçüldükçe”, çipin özellikleri küçülür ve transistörler de dahil olmak üzere daha fazlasının bir çipin içine sığmasına izin verir. Bu önemlidir, çünkü bir çipin transistör sayısı ne kadar yüksek olursa, o çip o kadar güçlü ve/veya enerji açısından verimli olur. iPhone 15 Pro ve iPhone 15 Pro Max şu anda 3nm çiple çalışan tek akıllı telefonlardır.
Büyük ölçüde düzenlenmiş slayt, Apple’ın 2nm yonga setleri tasarladığını gösteriyor
Bu yılın sonuna doğru Apple’ın dört iPhone 16 modelinin tamamında 3nm uygulama işlemcilerini (AP) kullanması bekleniyor. iPhone 16 Ve iPhone 16 Plus, 3nm A18 Bionic AP tarafından çalıştırılabilirken, iPhone 16 Pro ve iPhone 16 Pro Max, daha yetenekli A18 Pro AP’yi destekleyecek. Her iki bileşen de TSMC’nin ikinci nesil N3E 3nm düğümü kullanılarak oluşturulacak.
TSMC’nin 2025’in ikinci yarısında 2nm çip üretimine başlamayı planladığı ve dökümhanenin 2027’de 1.4nm çip üreteceği tahmin ediliyor. Apple’ın 2nm çip elde eden ilk şirket olması bekleniyor. İkincisi, 3nm çiplerle karşılaştırıldığında aynı güçte %10 ila %15 performans artışı sağlamalı veya aynı hızda çalışırken %25 ila %30 daha az güç kullanmalıdır.
Apple, TSMC’nin en büyük müşterisidir ve bu nedenle genellikle TSMC’nin en son işlem düğümünü kullanarak ürettiği çipleri ilk alan şirket olabiliyor. Apple’ın, şu anda kullanılan FinFET transistörleri yerine Gate-all-around (GAA) transistörlerine sahip olacak TSMC’nin 2nm düğümünden yararlanmak için bazı tasarım değişiklikleri yapması gerekecek.
Dikey olarak yerleştirilen yatay nano tabakaları kullanan GAA transistörleri, kapının kanalı dört taraftan çevrelemesine izin vererek akım sızıntısını azaltır ve sürücü akımını artırır. Bu, transistörler arasında daha güçlü elektrik sinyalleri oluşmasına ve çipin performansının artmasına neden olur. Aralık ayında TSMC, hem Apple’a hem de Nvidia’ya 2 nm’lik bir çip prototipi göstermişti.
