EXE:5000’in 8 nm çözünürlüğü, yonga üreticilerinin tek bir yongaya daha fazla transistör sığdırabileceği anlamına geliyor. Daha küçük transistörler enerji açısından daha verimlidir; bu da çiplerin daha az kaynakla daha fazlasını yapabileceği anlamına gelir.-ASML
Yeni High-NA EUV makinesi, mevcut makinelerin 13 nm (.33 NA) çözünürlüğüne kıyasla ona 8 nm çözünürlük sağlayan 0,55 sayısal açıklıklı (NA) bir lense sahiptir. Bu, yeni makinelerin transistörleri 1,7 kat daha küçük yazdırabileceği ve bunun sonucunda tek pozlamada transistör yoğunluğunun 2,9 kat daha fazla olabileceği anlamına geliyor. Sonuç? Daha güçlü veya enerji tasarruflu çipler. Yeni makineler ayrıca saatte 185 gofret basabiliyor ve bu sayı 2025 yılına kadar 220’ye çıkacak. Bu, mevcut EUV makineleriyle saatte 160 gofret basılabilir.
Mevcut Low-NA EUV makineleri aynı çözünürlüğü ancak çift desenleme kullanılarak iki pozlama yapıldıktan sonra üretebilir. Bununla birlikte, çift modellemede daha uzun üretim süreleri ve artan bir kusur oluşma riski de dahil olmak üzere riskler vardır. Ayrıca üretilen çipler arasında performans değişkenliğine de yol açabilir.
High-NA EVU’ya yönelik aynalar ZEISS’ta test edildi
ASML, dökümhanelerin daha büyük paraları daha yeni makinelere harcamasını tercih edeceğinden, çift modellemede neyin yanlış gidebileceğini size hemen söyler. Ancak TSMC’nin çift modellemeye dayandığı varsayılan N3B işlem düğümü, bunların hepsinde kullanılan A17 Pro uygulama işlemcisini üretmek için kullanıldı. iPhone 15 Pro Ve iPhone 15 Pro Max Apple tarafından üretilen birimler ve ileri teknoloji Mac’lere güç sağlamak için kullanılan M3 çipi. ASML, müşterilerinin şu anda High-NA EUV ile ilgili araştırmalarını yaptığını söylüyor.
Sonunda TSMC, Samsung Foundry ve diğerleri Intel’e katılmak ve High-NA EUV’ye geçmek için gereken yatırımları yapmaya başlamak zorunda kalacak. TSMC ve Samsung’un 2025’te 2 nm üretime başlamayı planlayıp 2027’de 1,4 nm üretime geçmeyi planlamasıyla bu zaman çok yakında sona erebilir.
