Intel’in 18A’nın, TSMC’nin N2 sürecine eşit bir SRAM yoğunluğunu bildirdiği ve IF’ler ve yarı iletken hırsları için büyük bir atılım işaret ettiği söyleniyor.
Intel’in 18A süreci “özel” bir süreçtir, BSPDN gibi uygulamalara ve arkasındaki yıllarca Ar -Ge
Görünüşe göre, şimdi Intel’in çip planlarının geleceği olmanın zamanı gelmiş gibi görünüyor, geç raporlar anın maviye doğru değiştiğini açıkça gösteriyor. Trump yönetiminin siyasi desteğini takiben, şimdi ISSCC oturumları aracılığıyla açıklandı (Ian Desti aracılığıyla) Hem TSMC hem de Intel’in en son süreçlerinin SRAM yoğunluklarında birbirlerine rakip oldukları, boşluğun en azından önemli yönlerden birinde daraldığını gösteriyor.
Oturdu @İeee_isscc 29. Oturum: SRAM
1. kağıt: $ TSM 38 MB/MM2 N2 HD SRAM
2. kağıt: $ İntrud 38 MB/MM2 18A HD SRAM
3. kağıt: @Ediateek 3nm tcam
4. kağıt: @Synopsys 38 MB/MM2 3NM HD SRAMBattle Royale var.
– 𝐷𝑟. 𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@ianCutress) 19 Şubat 2025
Intel’in 18A’sını son birkaç kez tartıştık, ancak hype ağacının göz önüne alındığında, derinlemesine bir bakış için en iyi zamanlardan biri olabilir. Intel’s 18A ile ilgili daha anıtsal başarılardan biri, güç dağıtım sürecini gofretin arka tarafına taşıdığı söylenen BSPDN’nin (arka güç dağıtım) kullanılmasıdır. Bu, endüstrinin ilk uygulamalarından birini işaret eder ve bu esas olarak sinyal bütünlüğü ile birlikte güç verimliliğine yol açar ve genel olarak süreç için büyük bir atılım işaret eder.
Intel’in 18A “yüksek yoğunluklu” versiyonlarının artık 38.1 mb/mm²’lik bir makro bit yoğunluğu bildirdiği söyleniyor, bu da geniş dizi konfigürasyonunda. SRAM hücrelerinin farklı düzenlemeleri çeşitli yoğunluklar getirecektir, ancak genel olarak işler 18A süreci için oldukça iyimser görünüyor. Bununla birlikte, haber testinin çip üretiminde olduğu ve verim mavisi için nasıl ortaya çıktığı göz önüne alındığında, Intel’in sürecine yönelik duyguları kesinlikle sonuçlandırmalıyız, çünkü bu büyük olasılıkla belirleyici olacaktır.
TSMC de N2 sürecini detaylandırdı, GAA teknolojisinin entegrasyonu nedeniyle SRAM yoğunluğundaki% 12 iyileşmeyi ortaya koydu ve yüksek performanslı SRAM olağanüstü bir% 18’lik bir iyileşme gördü. N2 ile ana gelişme, geleneksel Finfet teknolojisinden, FinFet uygulamasına kıyasla daha kesin bir kontrol ile birlikte çok daha fazla işlem özelleştirmesinde Busht’a sahip özel bir N2 “Nanosheet” e geçişidir.
TSMC-Intel Semiconductor Race hemen hemen devam ediyor ve rekabet çok daha şiddetli olacak gibi görünüyor, ancak yine de önemli faktör, sürecin tedarik zinciri olduklarını nasıl ortaya çıkaracağı.
