SK hynix, dünyanın ilk 321 katmanlı NAND flaşının seri üretimini duyurdu. göre basın bülteniŞirket, 2025’in ilk yarısından itibaren müşterilere 1 TB kapasiteye sahip 321 yüksek NAND flaşı tedarik edecek.
SK hynix’in 321 katmanlı yüksek NAND flaşı, şirketin “3 fiş” süreci olarak adlandırdığı bir teknoloji üzerine inşa edilmiştir. Bu teknolojinin mükemmel üretim verimliliğiyle tanındığı iddia ediliyor ve “…üç fiş işlemi tamamlandıktan sonra optimize edilmiş bir takip süreci aracılığıyla üç fişi elektriksel olarak birbirine bağlıyor.” “Süreç için SK hynix, fişler arasındaki hizalamaları otomatik olarak düzelten teknolojiyi sunarken düşük gerilimli bir malzeme geliştirdi.”
SK hynix ayrıca 321 katmanlı NAND’ı için önceki nesil 238 katmanlı flaşıyla aynı geliştirme platformunu kullanıyor ve 321 katmanlı üretimde sözde %59’luk bir iyileşme sağlıyor. 321 katmana geçiş, önceki nesle kıyasla veri aktarım hızlarının %12 oranında arttığını ve okuma performansının da %13 oranında arttığını gösterdi. Güç verimliliği de %10’dan fazla artırıldı.
| Satır 0 – Hücre 0 | SK hynix | SAMSUNG | Mikron | YMTC | Kioxia |
| Geçerli Katman Sayısı | 321 katman | 280 katman | 232 katman | 232 katman | 218 katman |
321 katmanlı NAND flaş şu anda sektördeki en yüksek katmanlı flaştır. Samsung, 280 katmanlı NAND flaşıyla bugüne kadarki en yakın flaş olsa da SK hynix ile rekabet edebilmek için 300 katmanlı ve hatta 400 katmanlı flash üzerinde de aktif olarak çalışıyor. Micron, YMTC ve Kioxia, bu yazının yazıldığı sırada 232 katmanlı ve 218 katmanlı mimarilerle en geride yer alıyor.
Samsung’un yeni nesil 300 katmanlı NAND flaşının SK hynix’ten farklı şekilde üretileceği iddia ediliyor. Bir 3D NAND yığınını 300 mm’lik bir levhaya yerleştirmeyi ve ilkinin üzerine başka bir flaş yığını oluşturmayı içeren bir “çift yığın” tekniği kullanılacak. SK hynix’in çözümünün daha verimli olduğu ve üç katman kullanmayı içerdiği iddia ediliyor.