3D NAND flash bellek ve 3D DRAM konusunda uzmanlaşmış bir şirket olan NEO Semiconductor, HBM’nin yerini alacak 3D X-AI teknolojisini duyurdu.
Yeni bellek, yalnızca depolamakla kalmayıp aynı zamanda matematiksel hesaplamalar gerektirmeyen çıktı verilerini işleyebildiği ve üretebildiği için de öne çıkıyor. Bu yapay zeka bilişim pazarında faydalı olacaktır. Yeni bellek, bellek ile işlemci arasında büyük miktarda verinin aktarıldığı veri yolu darboğazları sorununu ortadan kaldırıyor.
3D X-AI çipinde özel bir sinir devre katmanı bulunur. Bir kalıpta 300 katman 128 Gbit 3D DRAM hücresi ve 8.000 nöron içeren bir sinir devresi katmanı bulunur. NEO, bunun çip başına 10 TB/s’ye kadar hızlara izin verdiğini tahmin ediyor. Bir HBM yığınında istiflenmiş on iki 3D X-AI kalıbı kullanarak 120 TB/sn işlem hacmi elde edebilir ve bu da performansta 100 kat artış sağlar.
Şirket henüz hafızanın ticarileştirilmesinden bahsetmiyor ancak hafızayı FMS etkinliğinde zaten göstermişti.