IMW 2024’teki sunumuna göre Samsung, kompakt RAM’in geleceği olan 3D DRAM’i geliştirmek için yoğun çaba harcıyor. VCT (dikey kanal transistör) DRAM, bu hedefe tırmanan ilk dağdır ve Samsung’un bu konudaki ilk geliştirmeyi tamamlaması planlanmaktadır. gelecek yıl, 3D DRAM’in 2030 yılına kadar ticarileşmesi bekleniyor.
Bilgisayar belleği satıcılarına yönelik uluslararası bir konferans olan IMW 2024, Samsung’un en son DRAM inovasyonu alanındaki gelişmeleri özetlediği yerdir. ZDNet Kore. Samsung Başkan Yardımcısı Lee Si-woo, Samsung’un 4F Square VCT DRAM ve 3D DRAM araştırmaları hakkında konuştu.
Lee, “Hiper ölçekleyici yapay zeka ve isteğe bağlı yapay zeka gibi endüstriyel gelişmeler, çok fazla bellek işleme yeteneği gerektiriyor. Öte yandan, mevcut DRAM’in mikroişlem teknolojisi sınırlıdır” dedi. Ancak önümüzdeki yıllarda Lee, “hücrelerin yapısında yeni yeniliklerin meydana gelmesinin beklendiğini” öngörüyor.
Bu yeniliklerden biri de şimdiye kadarki en kompakt DRAM tasarımı olan 4F Square VCT DRAM’in gelişidir. 4F Kare tasarımı, DRAM hücre boyutlarını günümüzün standart 6F Kare DRAM hücre yapısına göre yaklaşık %30 oranında azaltmak için dikey istiflemeyi kullanacak. 4F Square, yatay olarak daha kompakt olmasının yanı sıra, önceki modellere göre daha fazla güç verimliliğine sahip olacak, ancak üretimde son derece hassas, üretim için daha iyi malzemeler ve onu ölçeklenebilir ve seri üretilebilir hale getirmek için daha fazla araştırma gerektiriyor. Şimdiye kadar çok az şirket teknolojinin işe yaradığını iddia ediyor.
Başkan Yardımcısı Lee, “Birçok şirket 4F Square VCT DRAM’e geçiş yapmak için çaba harcıyor” dedi. “Ancak bunun gerçekleşmesi için oksit kanal malzemeleri ve ferroelektrikler gibi yeni malzemelerin geliştirilmesine öncelik verilmesi gerekiyor.” Samsung’un 4F Square süreci, IMW 2024’te duyurulduğu üzere 2025’te dahili olarak piyasaya sürülecek.
4F Square ve nihayetinde gerçek anlamda 3D DRAM gibi dikey DRAM yığınlama, DRAM’de kapasite artışı ve verimlilikte yeniliğe yönelik bir sonraki adımdır. Sektör, on yılı aşkın bir süredir bu yönde ilerlemeyi hedefliyor ancak NAND Flash belleğe uygulanan benzer bir prensip olan 3D NAND’ın ticari ve işlevsel başarısı özellikle teşvik edildi. İlk kez 2013 yılında Samsung tarafından piyasaya sunulan 3D NAND (Samsung buna V-NAND diyor), büyük bir kırışıkla birlikte 3D DRAM için ilham kaynağı olacak.
NAND flash, pasif olarak çalıştırılan bir teknolojidir; bu nedenle, bir cep telefonunun kapalıyken bile dosyaları saklaması gibi, kapalıyken de veri kaydedebilir. Bu kalıcı bellek, yalnızca güç varken veri kaydedebilen geçici bir bellek olan DRAM’den oldukça farklıdır. DRAM’in uçucu doğası, onu NAND’dan önemli ölçüde daha hızlı ve çok daha güvenilir kılar, ancak aynı zamanda daha fazla güç ve verinin yığılmış katmanlarda yukarı ve aşağı gidebilmesi gerektiğinden, DRAM katmanlarının istiflenmesini NAND’ın istiflenmesinden çok daha zor hale getirir.
Mühendislikteki bu önemli zorluğun yanı sıra Samsung’un 3D DRAM’in kapasitörler ve bit hatları için yeni malzemelerin benimsenmesini gerektireceğine olan inancı, Samsung’un 2030 yılına kadar 3D DRAM’i ticari olarak satışa sunmayı planlamadığı anlamına geliyor. Samsung muhtemelen bu yarışta mağlup olmayacak çünkü onların İç tahminler sektör beklentilerinin önünde. Tokyo Electron, VCT DRAM’in bile 2027 yılına kadar ticari olarak piyasaya sürülmeyeceğini öngörüyor.
Ancak Samsung’un daha önce de bellek beklentilerindeki trendleri alt üst ettiği biliniyordu. 3D NAND’ın teorik olarak 128 katmanlı katmandan oluşan bir tavana sahip olduğu düşünülüyordu ancak Samsung bu yıl 290 katmanlı ürünleri piyasaya sürmeye hazır.
