TSMC, Samsung ve SK hynix en yeni DRAM ve işlem düğümlerini hazırlarken yeni nesil HBM4 bellek standardına ilişkin geliştirmeler tüm hızıyla sürüyor.
TSMC, HBM4 Bellek Tabanı Kalıpları, Samsung ve SK hynix Go 1c DRAM Rotası için 12nm ve 5nm Düğümlerini Öne Çıkarıyor
Hem Samsung hem de SK hynix, yeni nesil HBM4 bellek standardını sunma yarışında. Koreli devler 2025-2026’daki ilk çıkışa yönelik ilk planlarını gösterdiler. Samsung şu ana kadar VRAM kapasitelerinde ve bellek bant genişliğinde benzeri görülmemiş bir artış için 3D Paketleme teknolojilerinin ve 16-Hi yığınların kullanımını göz önünde bulundururken, SK hynix ayrıca kendi HBM4 çözümleri için yeni paketleme teknolojilerini de dahil etmeyi planlıyor.
Tarafından alıntılanan en son sektör kaynaklarına göre ZDNet KoreSamsung ve SK hynix’in yeni nesil HBM4 belleğe güç sağlamak için 1c DRAM kullanmayı planladığı belirtiliyor. Samsung’un, geçtiğimiz yıl mayıs ayında üretime başlayan HBM4 için ilk etapta 1b DRAM (10-nano sınıfı 5. Nesil DRAM) kullanmayı planladığı, mevcut HBM3E ürünlerinin ise 1a DRAM tabanlı olduğu bildiriliyor. Şirket, yakın zamanda Samsung’un Hopper ve Blackwell gibi NVIDIA’nın en yeni AI GPU’ları için yeterlilik testlerini geçemediğinin bildirilmesinden bu yana kaybettiği ivmeyi yeniden kazanmayı planlıyor.
1c DRAM kullanımının öne çıkan önemli nedenlerinden biri, güç tüketimi konusunda Samsung’un onu rakiplerinden geride görmesidir. Bu nedenle 1c DRAM, 12-Hi ve 16-Hi HBM4 ürünlerinde kullanılacaktır. Şirketin 2024 yılı sonuna kadar 1c DRAM için ilk seri üretim hattını kurması bekleniyor ve bunun için toplam üretim kapasitesinin ayda 3000 adet civarında olması bekleniyor. Nihai HBM4 ürün rakamları da çok farklı olmamalı. Hatta bazı kaynaklar, Samsung’un seri üretime 2025 ortalarında daha erken başlayabileceğini öne sürüyor ancak bu henüz doğrulanmadı.
SK hynix, HBM4 bellek ürünleri için 1b DRAM’i kullanmayı planlarken, üretici tarafından yeni nesil HBM4E belleği için 1c DRAM kullanılacak.
Ancak hepsi bu kadar değil; TSMC Avrupa Teknoloji Sempozyumu 2024 sırasında yarı iletken üreticisi, HBM4 belleğin 1024 bit arayüzlerden 2048 bit arayüzlere geçişindeki karmaşıklıklar nedeniyle N12 ve N5 işlem düğümleri kullanılarak yeni temel kalıpların yapılacağını bildirdi. .
TSMC Tasarım ve Teknoloji Platformu Kıdemli Direktörü, “HBM4 tam yığın entegrasyonu için gelişmiş düğümler üzerinde önemli HBM bellek ortaklarıyla (Micron, Samsung, SK Hynix) birlikte çalışıyoruz” dedi. “N12FFC+ uygun maliyetli temel kalıp, performans açısından HBM’ye ulaşabilir ve N5 temel kalıp, HBM4 hızlarında çok daha düşük güçle daha da fazla mantık sağlayabilir.”
TSMC temsilcisi, “HBM4 kanal sinyal bütünlüğünü, IR/EM’yi ve termal doğruluğu onaylamak için Cadence, Synopsys ve Ansys gibi EDA ortaklarıyla işbirliği yapıyoruz” diye açıkladı.
Yeni temel kalıplar, yakın zamanda ortaya çıkan CoWoS-L ve CoWoS-R paketleri gibi CoWoS teknolojilerinden yararlanılarak 16-Hi yığına kadar bellek ürünleri yapmak için kullanılacak. Ayrıca diğer önemli değişikliklerin yanı sıra yeni bir kanal sinyal bütünlüğü sürecinden de yararlanacak. 5 nm’lik bir düğüme sahip olmak güç, performans ve yoğunluk açısından faydalar sağlayacak, bu nedenle yeni nesil GPU hızlandırıcılar için yeni nesil HBM4 bellek ürünlerinin önümüzdeki yıl piyasaya sürülmesini sabırsızlıkla bekliyoruz.
