Samsung’un var duyuruldu 8. Nesil V-NAND’a göre %33’lük bir artış sunan 9. Nesil V-NAND flash belleğinin seri üretimi.
Samsung’un 1 TB TCL 9. Nesil V-NAND Seri Üretimi Başlıyor, QLC 2024’ün 2. Yarısında Hızlarda %33 Artış Sunuyor
Birkaç hafta önce 9. Nesil V-NAND flash’ın seri üretiminin başladığını bildirdiğimiz için bu duyuru aşağı yukarı bekleniyordu. Öncelikle TCL NAND bu ay üretime girecek ve QLC’nin seri üretiminin yılın ikinci yarısında yapılması bekleniyor. Aynı zamanda rapor edildi 9. Nesil V-NAND’ın 290’dan fazla katmana sahip olacağı ancak bu Samsung tarafından resmi olarak onaylanmadı.
Basın bülteni: Gelişmiş bellek teknolojisinde dünya lideri Samsung Electronics, bugün bir terabitlik (Tb) üç seviyeli hücreli (TLC) 9. nesil dikey NAND (V-NAND) için seri üretime başladığını duyurdu ve pazardaki liderliğini pekiştirdi. NAND flaş pazarı.
Sektörün en küçük hücre boyutuna ve en ince kalıbına sahip olan Samsung, 9. nesil V-NAND’ın bit yoğunluğunu 8. nesil V-NAND’a kıyasla yaklaşık %50 artırdı. Ürün kalitesini ve güvenilirliğini artırmak için hücre girişiminin önlenmesi ve hücre ömrünün uzatılması gibi yenilikler uygulanırken, boş kanal deliklerinin ortadan kaldırılması, bellek hücrelerinin düzlemsel alanını önemli ölçüde azaltmıştır.
Ayrıca Samsung’un gelişmiş “kanal deliği aşındırma” teknolojisi, şirketin süreç yeteneklerindeki liderliğini ortaya koyuyor. Bu teknoloji, kalıp katmanlarını istifleyerek elektron yolları oluşturur ve çift yığınlı bir yapıda endüstrinin en yüksek hücre katmanı sayısının eşzamanlı olarak delinmesine olanak sağladığı için üretim verimliliğini en üst düzeye çıkarır. Hücre katmanlarının sayısı arttıkça, daha yüksek hücre sayılarını delme yeteneği daha önemli hale gelir ve daha karmaşık gravür teknikleri gerektirir.
9. nesil V-NAND, saniyede 3,2 gigabit’e (Gbps) kadar %33 oranında artırılmış veri giriş/çıkış hızlarını destekleyen yeni nesil NAND flash arayüzü “Toggle 5.1” ile donatılmıştır. Bu yeni arayüzün yanı sıra Samsung, PCIe 5.0 desteğini genişleterek yüksek performanslı SSD pazarındaki konumunu sağlamlaştırmayı planlıyor.
Düşük güç tasarımındaki gelişmeler sayesinde güç tüketimi de önceki nesle kıyasla %10 oranında iyileştirildi. Enerji kullanımını ve karbon emisyonlarını azaltmak müşteriler için hayati önem taşırken, Samsung’un 9. nesil V-NAND’ının gelecekteki uygulamalar için en uygun çözüm olması bekleniyor. Samsung, bu ay 1 TB TLC 9. nesil V-NAND için seri üretime başladı ve bunu bu yılın ikinci yarısında dört seviyeli hücre (QLC) modeli takip edecek.
