Şirketin baş teknoloji sorumlusu (CTO) Hidefumi Miyajima’ya göre Kioxia, 2031 yılına kadar 1.000’den fazla katmana sahip 3D NAND belleği seri üretmeyi planlıyor Xtech Nikkei. Miyajima, Tokyo City Üniversitesi’ndeki 71. Uygulamalı Fizik Topluluğu Bahar Toplantısı’ndaki dersi sırasında, bir 3D NAND cihazında 1000’den fazla katman elde etmenin teknik zorluklarını ve çözümlerini tartıştı.
Bir 3D NAND cihazındaki aktif katmanların sayısını artırmak, günümüzde flash belleğin kayıt yoğunluğunu artırmanın en iyi yoludur; bu nedenle, tüm 3D NAND üreticileri bunu her 1,5 ila 2 yılda bir yeni işlem düğümleriyle yapmaya çalışmaktadır. 3D NAND üreticilerinin katman sayısını artırması ve NAND hücrelerini hem yatay hem de dikey olarak küçültmesi gerektiğinden, her yeni düğüm çeşitli zorlukları beraberinde getiriyor. Bu süreç, üreticilerin her yeni düğümde yeni malzemeleri benimsemesini gerektiriyor ki bu da büyük bir araştırma ve geliştirme zorluğudur.
Bugün Kioxia’nın en iyi 3D NAND cihazı, 218 aktif katmana ve 3,2 GT/s arayüze sahip (ilk olarak Mart 2023’te piyasaya sürülen) 8. Nesil BiCS 3D NAND belleğidir. Bu nesil, 3D NAND hücre dizisi levhalarının ve I/O CMOS levhalarının en uygun proses teknolojisini kullanarak ayrı ayrı üretilmesini ve bunların birbirine bağlanmasını içeren yeni bir CBA (Diziye Doğrudan Bağlı CMOS) mimarisini sunar. Sonuç, belleğin en iyi SSD’leri oluşturmak için kullanılabilmesini sağlayan, gelişmiş bit yoğunluğuna ve iyileştirilmiş NAND I/O hızına sahip bir üründür.
Bu arada, I/O CMOS yongalarının sayfa tamponları, algılama amplifikatörleri ve şarj pompaları gibi ilave NAND çevresel devrelerini içerip içermediği gibi CBA mimarisine ilişkin ayrıntılar, Kioxia ve üretim ortağı Western Digital tarafından açıklanmadı. Üreticiler, bellek hücrelerini ve çevresel devreleri ayrı ayrı üreterek, her bir bileşen için en verimli süreç teknolojilerinden faydalanabilir; bu da endüstrinin kesinlikle 1.000 katmanlı 3D NAND için kullanılacak olan dizi istifleme gibi yöntemlere doğru ilerledikçe daha fazla avantaja yol açmasını sağlar.
Samsung’un ayrıca üretim seviyesinde 1.000 katmanlı 3D NAND’a ulaşmayı beklediğini de belirtelim.
