Tüm dinamik rastgele erişim belleği (DRAM) üreticileri, çiplerini daha ucuz hale getirmek için mümkün olan en küçük bellek hücrelerini oluşturmalarına olanak tanıyan işlem teknolojileri geliştirmeye çalışmaktadır. Ancak bu, ABD hükümetinin ihracat kısıtlamalarına uymak zorunda olan Çin merkezli ChangXin Bellek Teknolojileri (CXMT) için tam olarak en iyi strateji değil. Son zamanlarda şirket, 17nm üretim düğümünün aslında daha çok 18.5nm teknolojisine benzediğini ve bunun da gelişmiş levha fabrikası araçları elde etmesine olanak sağladığını söyledi. DigiTimes.
ABD’nin Çin yarı iletken sektörüne yönelik yaptırımları, Çinli DRAM üreticilerinin 18nm yarım aralıklı veya daha gelişmiş bir düğümde bellek oluşturmak için kullanılabilecek araçları tedarik etmesini engelliyor. Sonuç olarak şirket, 18nm DRAM’ler oluşturmak için Amerikan şirketlerinden fabrikasyon araçlar alamıyor. Ancak CXMT bir yol buldu. Şirketin ABD yetkililerine, iddia edilen 17nm işlem teknolojisinin ‘gerçek standardın altında kaldığı’ ve daha çok 18,5nm sınıfı bir düğüme benzediği konusunda bilgi verdiği iddia ediliyor. Bu nedenle, yeni üretim teknolojisi aslında yaptırımlarla belirlenen düzenlemeleri ihlal etmiyor ve böylece CXMT’nin görünüşte 18,5 nm sınıfı kapasitesini genişletmesine olanak tanıyor.
CXMT’nin 2024 yılında Hefei fabrikasında önemli bir genişleme planladığı bildiriliyor; bu, şirketin önde gelen iki akıllı telefon üreticisi olan Xiaomi ve Transsion’a LPDDR5 bellek yongaları tedarik etmesi nedeniyle artık çok mantıklı. Rapora göre şirketin Faz 1 Hefei tesisi, aylık yaklaşık 100.000 gofret başlangıç kapasitesiyle tam üretime yaklaşıyor.
Beklenen Faz 2 genişlemesinin yıl sonuna kadar ayda 40.000 levha başlangıç kapasitesi daha eklemesi ve CXMT’nin küresel DRAM üretim kapasitesinin yaklaşık %10’unu yakalayacak konuma gelmesi bekleniyor. Ancak bunu oluşturmak için CXMT’nin ASML, Applied Materials ve KLA gibi şirketlerin araçlarına ihtiyacı var ve bu nedenle ABD hükümetini DRAM’lerinin ABD ihracat kurallarını ihlal etmediğine ikna etmesi gerekiyor.
Diğer Çinli yonga üreticileri gibi CXMT de Hefei fabrikasındaki bir sonraki genişleme aşaması için Çin’de üretilen ekipmanlara daha fazla güveniyor. Bu hamle yalnızca şirketin genişleme planlarıyla uyumlu olmakla kalmıyor, aynı zamanda yabancı teknolojiye olan bağımlılığı azaltma ve Çin’in yarı iletken sektöründe kendi kendine yeterliliğini artırma konusundaki kararlılığını da gösteriyor.
‘Rahat’ 18,5nm düğümüyle CXMT, geçen yıl 120 katmanlı 3D NAND üretim sürecini başlatan ve bu sayede levha fab araçlarının satışını engelleyen ABD ihracat kurallarına uyum sağlayan Yangtze Memory Technologies Co.’nun (YMTC) örneğini takip ediyor. Çinli kuruluşlar 128 veya daha fazla katmana sahip 3D NAND oluşturacak.
Yakın zamanda CXMT, olası tüm ABD yaptırımlarını ihlal eden FinFET tabanlı 18nm yarım adımlı işlem teknolojisini tanıttı.
