Dünyanın en büyük yonga dökümhanesi TSMC, 3nm işlem düğümünü kullanarak son teknoloji yongaların seri üretimini başlatmak üzere. Basit bir ifadeyle, işlem düğümü sayısı düştükçe, bu entegre devreleri oluşturmak için kullanılan transistörler küçülür ve çip gibi küçük, yoğun bir alana daha fazla sığar. Ve bir çipin transistör sayısı ne kadar yüksekse, o kadar güçlü ve enerji açısından verimlidir.
iPhone 15 Pro ve iPhone 15 Ultra’nın 3nm A17 Bionic yonga setine sahip olması bekleniyor
TSMC’nin 3nm yongaları FinFET transistörlerini (solda) kullanmaya devam ederken, Samsung’un 3nm yongaları GAA’yı kullanacak
Bu Perşembe günü, TSMC’nin Güney Tayvan Bilim Parkı’nda Fab 18’de bir tören düzenleyerek 3nm seri üretiminin başlangıcını kutlaması bekleniyor. Etkinlikte TSMC, o fabrikada 3nm üretimini genişletme planlarını tartışacak. A17 Bionic ve M3 çipinin, TSMC’nin gelişmiş 3nm işlem düğümü kullanılarak inşa edildikten sonra gelecek yılın sonlarında piyasaya sürülmesi bekleniyor.
Şu anda dünyada 3nm’de seri üretim yapabilen diğer tek dökümhane Samsung Foundry’dir. İkincisi, her bir transistörden geçen akım akışının daha hassas bir şekilde kontrol edilmesini sağlayan her yerde geçit (GAA) transistörleri kullanır. Bu, kapıların (akım akışına izin vermek veya bloke etmek için açılıp kapanan) her taraftaki kanallarla temas etmesiyle gerçekleştirilir. GAA ile güç verimliliği iyileştirilir. Basitçe söylemek gerekirse, GAA transistörlerini kullanan çipler, FinFET transistörlerini kullanan çiplerden daha hızlı çalışır ve daha az güç tüketir.
Samsung, 3nm üretimi ile GAA transistörlerini kullanacak; TSMC, 2nm üretime ulaşana kadar FinFET ile devam edecek
Peki 3nm’den sonra ne geliyor?
Intel’in TSMC ve Samsung Foundry’yi devirme arayışına yardımcı olarak, ASML’nin yeni nesil Extreme Ultraviolet (EUV) litografi ürünü olan High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography makinesine sahip olan ilk dökümhane olacak. ASML, gezegendeki her EUV litografi makinesinin üretiminden ve satışından sorumludur.
Yeni litografi makineleri, dökümhanelerin 1,7 kat daha küçük çip özellikleri ve 2,9 kat daha fazla çip yoğunluğu sağlamak için devre tasarımlarını daha yüksek çözünürlüklerde aşındırmasına izin verecek. Bu, Intel’in bir çipin içine yerleştirilecek milyarlarca ek transistörün yerleştirilmesine izin vererek gofretler üzerinde son derece ince devre desenleri işlemesine yardımcı olacaktır.
