çarşamba günü Samsun söz konusu (yeni sekmede açılır) 7200 MT/sn’ye varan veri aktarım hızlarına sahip yeni 16Gb DDR5 bellek yongalarını geliştirmişti. Yeni IC’ler, şirketin en yeni 12nm DRAM işlem teknolojisi kullanılarak gelecek yıl seri üretilecek. Şu anda şirket, en son bellek cihazlarını AMD ile doğruluyor.
Hızlı olmasının yanı sıra, Samsung’un 12nm düğümü kullanılarak üretilen 16Gb DDR5 bellek yongalarının, önceki modellere göre %23’e kadar daha az güç tükettiği (hangi hız kutusunda bilinmese de) ve %20 daha yüksek yonga levha üretkenliği sağladığı söyleniyor; öncekilere kıyasla yaklaşık %20 daha küçük olmaları ve dolayısıyla üretimlerinin daha ucuz olabilmesi.
Artan bit yoğunluğu ve daha yüksek varsayılan veri aktarım hızları, Samsung’un 12nm DRAM işleme teknolojisinin şirketin gelecekte daha yüksek yoğunluklu bellek IC’leri ve 7200 MT/sn’den daha yüksek hıza sahip cihazlar üretmesini sağlayacağı anlamına geliyor.
Nominal voltajda 7200 MT/sn’ye kadar veri aktarımı için derecelendirilen bellek yongaları, bunlardan yararlanabilecek yeni nesil PC’lerin performansını önemli ölçüde artırmayı vaat ediyor. Ayrıca, bu IC’ler meraklılar için DDR5 hız aşırtma sınırlarını daha da zorlamayı vaat ediyor, bu nedenle 2023 ve sonrasında daha da hızlı DDR5 modülleri beklemeliyiz. Bu arada, şirketin şu anda en son DDR5-7200 yongalarını AMD ile doğrulaması dikkat çekicidir, bu da (bu bir spekülasyon olsa da) CPU tasarımcısının bu hız kutusunu er ya da geç desteklemeyi planladığı anlamına gelebilir.
AMD Kıdemli Başkan Yardımcısı, Kurumsal Üye ve Müşteri, Bilgi İşlem ve Grafik CTO’su Joe Macri, “İnovasyon, teknolojinin sınırlarını zorlamak için genellikle endüstri ortaklarıyla yakın işbirliği gerektirir” dedi. “Özellikle ‘Zen’ platformlarında optimize edilmiş ve doğrulanmış DDR5 bellek ürünlerini tanıtma konusunda Samsung ile bir kez daha işbirliği yapmaktan heyecan duyuyoruz.”
Günümüzde 7200 MT/s veri aktarım hızına sahip bir bellek alt sistemi elde etmek için, genellikle nominalden daha yüksek voltajda çalışan hız aşırtmacılar için oluşturulmuş bellek modülleri veya LPDDR5X bellek yongaları kullanılmalıdır. İlk durumda, bellek alt sistemi güce aç ve pahalı olurken, ikinci durumda pahalı olacaktır. Nominal voltajlara sahip geleneksel DDR5-7200 bellek yongaları, bellek bant genişliğini önemli ölçüde daha ucuza artırmaya olanak tanır.
Samsung’un 12nm üretim düğümü, şirketin DRAM’ler için 5. Nesil 10nm sınıfı fabrikasyon süreci ve aşırı ultraviyole litografi (EUV) kullanan bellek için 2. nesil teknolojisidir. Birden çok EUV katmanının kullanılması, Samsung’un devreleri daha hızlı (yani çoklu modelleme kullanmadan) ve daha yüksek hassasiyetle yazdırmasını sağlar; bu da daha düşük maliyetler ve daha yüksek performans ve/veya güç verimliliği anlamına gelebilir. EUV’nin daha kapsamlı kullanımına ek olarak, Samsung aynı zamanda yeni bir high-k malzeme ve kritik devrelerin rafine tasarımlarını hayata geçirdi.
Bu arada, EUV tarayıcıları, bellek ve mantık üretimi için kullanılan derin ultraviyole (DUV) litografi araçlarından önemli ölçüde daha pahalıdır, bu nedenle, EUV’nin yaygın kullanımının, en azından şimdilik, her zaman DRAM üretim maliyetlerini düşürdüğü kesin değildir. Yine de, Samsung’un üretim maliyetleri hakkında hiçbir fikrimiz yok ve bu nedenle bu kısmı DRAM IC analistlerine bırakacağız.
Biraz garip olan şey, Samsung’un 12nm düğümünde 7200 MT/sn’ye varan veri aktarım hızına sahip 16Gb DDR5 yongalarının seri üretimine tam olarak ne zaman başlamayı planladığını açıklamamasıdır. 2023, Samsung’un Ocak 2023’te veya Aralık 2023’te yüksek hacimli üretime başlayabileceği için oldukça belirsiz bir tanım.
Şirket, 5. Nesil 10nm sınıfı üretim süreci ile sektördeki emsallerinin biraz gerisinde görünüyor. Micron, Kasım ayı başlarında 1β (1-beta) üretim teknolojisiyle üretilen LPDDR5X-8500 belleğini örneklemeye resmen başladı, ancak Samsung’un EUV kullanması şirkete rakibi karşısında bir avantaj sağlayabilir.
