Resim: Samsung.
Salı günü Samsung, 12 nanometre (nm) işlem düğümü ile üretilmiş “çift veri hızı 5” (DDR5) DRAM’in geliştirildiğini duyurdu.
Güney Koreli teknoloji devine göre 12nm 16GB DDR5 DRAM, işlemci üreticisi AMD tarafından doğrulandı ve seri üretiminin önümüzdeki yıl başlaması bekleniyor.
12nm
Ancak Samsung’un duyurusu olağandışı. Gerçekten de, çip üreticileri yeni bir çip duyurduklarında, genellikle onu üretmek için kullanılan süreci “10 nm sınıfı”, yani boyutu 10 ile 19 nm arasında olan düğümler veya kendi jargonlarıyla kesin değeri belirtmeden ifade ederler. Ancak bu sefer Samsung, kullanılan işlem düğümünün 12nm olduğunu açıkça belirtti.
Samsung’un en yeni DRAM’i, kendi tabiriyle, beşinci nesil 10nm işlem düğümü ile üretilmiştir. Kore devi, 12 nm’lik bu sayısal değeri ortaya koyarsa, bu nedenle muhtemelen 10 nm kategorisinde rakiplerine üstünlük sağlamakla övünmek olacaktır.
Bununla birlikte, farklı şirketler tarafından üretilen çipler arasındaki transistörlerin gerçek boyutunu ve yoğunluğunu, pazarlama amacıyla onlara atıfta bulunmak için kullanılan isimler ne olursa olsun, test edilmeden bilmek zordur ve birbirlerinden önemli ölçüde farklılık gösterebilirler.
Verimlilik %20 arttı
12nm 16GB DDR5 DRAM’e gelince, Samsung, kapasitör hacmini artırmak için yeni bir yüksek karbonlu malzeme kullandığını ve yeni işlem düğümünü tamamlamak için yeni tasarımlar uyguladığını söylüyor. Eklenmeden önce “sektördeki en yüksek yoğunluğu” elde etmek için aşırı ultraviyole (EUV) litografi uygulandı.
Bu değişiklikler önceki nesil DRAM’lere göre üretkenliği %20 artırdı, bu da levha başına daha fazla üretim yapılabileceği anlamına geliyor.
Çip, maksimum 7,2 Gb/s hıza sahiptir, bu da saniyede 60 GB veri işleyebileceği anlamına gelir. Enerji tüketimi önceki nesle göre %23 iyileştirilmiştir.
Samsung, veri merkezlerindeki uygulamalar, yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem için 12nm DRAM serisindeki diğer ürünleri piyasaya sürmeyi planlıyor.
Kaynak : ZDNet.com
