SK hynix, 238 büyük katmana sahip yeni 4D NAND flaşı geliştirerek hızlı ve geniş kapsamlı yeni teknolojinin önünü açtı. SSD’lerşirket duyurdu.
Santa Clara’daki Flash Bellek Zirvesi’nde sahneye çıkan yeni bellek yongası, “dünyanın ilk 238 katmanlı 512Gb TLC 4D NAND”ı olarak tanımlanıyor ve 2023’ün ilk yarısında seri üretime girmesi bekleniyor.
Önceki 176 katmanlı modelle karşılaştırıldığında, yeni NAND’ın %50 daha hızlı veri aktarım hızları (2,4 Gb/sn’de), veri okumaları için %21 daha fazla enerji verimliliği ve genel üretkenlikte %34 artış sunduğu söyleniyor.
238 katmanlı ürünün gelişiyle, SK hynix dünyanın en yüksek NAND yığını rekorunu, en son modeli 232 katmana sahip rakip üretici Micron’dan kapacak.
238 katmanlı 4D NAND flaş
NAND flash, her türlü depolama aygıtında bulunan bir tür kalıcı bellektir. hafıza kartları, USB çubukları ve taşınabilir sürücüler için SSD’lere sunucular ve istemci cihazlar.
NAND flash geliştirmedeki genel eğilim, kapasite başına maliyetin azaltılmasına ve depolama yoğunluğunun artırılmasına, böylece geleneksel için kalan son kullanım durumlarını etkin bir şekilde ortadan kaldırmaya yöneliktir. sabit disk sürücüleri. SK hynix’ten 238 katmanlı ürünün gelişi, bu yolculukta başka bir adımı işaret ediyor.
Piyasadaki diğer NAND ürünlerinden farklı olarak, şirketin ürün yelpazesindeki en yeni çipler, mantık devrelerinin depolama hücrelerinin altına yerleştirildiği bir “4D” mimarisine sahiptir. SK hynix, bu tasarımın “birim başına daha küçük hücre alanına izin vererek daha yüksek üretim verimliliğine yol açtığını” söylüyor.
SK hynix’te NAND Geliştirme Başkanı Jungdal Choi, “SK hynix, 4D NAND teknolojilerine dayanan 238 katmanlı ürünü tanıtarak maliyet, performans ve kalite açısından küresel üst düzey rekabet gücünü güvence altına aldı” dedi.
Belki de beklentilerin aksine, yeni 238 katmanlı NAND, ilk olarak içerik oluşturuculara ve PC oyuncularına heyecan verecek olan istemci cihazlarına gidecek. Yeni çip ancak daha sonra gelecek akıllı telefonlar ve yüksek kapasiteli sunucular.
SK hynix ayrıca, gelecek yıl geldiğinde en son çipin depolama yoğunluğunu ikiye katlayacak 1 Tb 238 katmanlı bir ürün geliştirdiğini de açıkladı. Choi, “Teknolojik zorluklarda atılımlar bulmak için yeniliklere devam edeceğiz” diye ekledi.
Aracılığıyla Bloklar ve Dosyalar (yeni sekmede açılır)
