Şimdilik, Moore Yasası, yarı iletken efsanesi Gordon Moore tarafından yapılan gözlem hayatta kalıyor. Fairchild Semiconductor ve Intel’in kurucu ortağı olan Moore, ilk olarak 1965’te bir entegre devre (IC) içindeki transistör sayısının her yıl iki katına çıkacağını belirtti. Daha sonra bunu 1970’lerde transistör sayısının her iki yılda bir ikiye katlayacağını belirterek revize etti.
Samsung, önceki nesil 5nm FinFET yongalarının yerini alan 3nm GAA yonga setlerini piyasaya süren ilk şirket oldu.
GAA ile akım akışı üzerinde daha fazla kontrol vardır ve bu da daha fazla güç verimliliği sağlar. TSMC, bu yılın ikinci yarısında sevkiyatına başlayacağı 3nm SoC’leri için hala önceki nesil FinFET transistör tasarımını kullanıyor. Dünyanın önde gelen bağımsız dökümhanesi, 2026’da müşterilerine teslim etmeyi umduğu 2nm işlem düğümü ile GAA’yı kullanmaya başlayacak.
Sonunda, 3nm GAA işlem düğümü, Samsung’un kendi Exynos 2300’ü ve muhtemelen Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 SoC’leri de dahil olmak üzere akıllı telefon yongaları üretmek için kullanılacak. 3nm GAA işlem düğümü, 5nm düğüme kıyasla güç tüketimini %45’e kadar azaltacak ve performansı %23’e kadar artıracaktır. 3nm GAA yongalarının ikinci nesil varyantının, enerji tüketimini %50’ye kadar azaltması ve performansı %30’a kadar artırması bekleniyor.
Bunun sizin için anlamı, geliştirilmiş pil ömrüne sahip daha güçlü el cihazlarının bulunmasıdır.
Bir yayında Samsung, “25’inde, Samsung Electronics, Gyeonggi-do’daki Hwaseong Kampüsü’ndeki V1 hattında (yalnızca EUV) yeni nesil transistör GAA (Gate All Around) teknolojisini kullanan bir 3nm dökümhane ürünü sevkiyat töreni düzenledi. Etkinliğe Ticaret, Sanayi ve Enerji Bakanı Changyang Lee, tedarikçiler, masallar, Samsung Electronics DS bölüm başkanı, Kyeong-hyeon Kye (Başkan) ve yöneticiler ve çalışanlar dahil olmak üzere yaklaşık 100 kişi katıldı ve 3nm’ye katılan yöneticileri ve çalışanları teşvik etti. GAA Ar-Ge ve seri üretim.”
