Samsung’un sahip olduğu 30 Haziran’da açıklandı 3 nm’de kazınmış ilk çiplerinin üretimine başladı. Bu teknik ilerleme, yeni bir transistör mimarisine geçişle tamamlandı: Samsung, bu kez, yıllardır kullanılan FinFET (fin alan etkili transistör) tasarımını biraz değiştirilmiş bir GAA (Gate all Around) mimarisiyle değiştiriyor. Bu çifte evrim, Koreli devin daha verimli çipler üretmesine izin veriyor, ancak aynı zamanda enerji açısından daha verimli.
Böylece Samsung, eski 5 nm işlemine kıyasla %23 daha fazla performanstan ve aynı zamanda tüketimde %45’e varan azalmadan bahsediyor. Aynı zamanda firma, şu anda sadece ilk neslinde olan yeni 3 nm işlemine göre kazınmış yongaların boyutunda %16’lık bir azalmadan da söz ediyor. Ek optimizasyonlar gerçekten daha sonra yapılmalıdır. Bu ince gravür özellikle hem Samsung hem de harici müşteriler için işlemci ve bellek yongalarının imalatında kullanılacak.
Axie Infinity oyunu, dijital soygundan sonra işlemleri yeniden yetkilendiriyor
TSMC’de drajeyi yüksek tutun… ve müşterileri geri kazanın
Samsung’un ilk programında biraz gecikmeli olarak uygulanan bu 3 nm gravür geçişi, Samsung Foundry’nin ana rakibi olan Tayvanlı TSMC’ye karşı çekicilik kazanmasını sağlamalıdır. Dünyanın önde gelen bağımsız dökümhanesi olan bu yarı iletken gravür devi, tek başına pazarın yaklaşık %54’ünü tekelinde tutuyor… Samsung için bu oran sadece %16.3.
Bununla birlikte Samsung, 3 nm gravür ile rakibine göre biraz teknolojik liderlik alıyor ve bu da 2022’de 3 nm gravür sürecini başlatacak, ancak kağıt üzerinde biraz daha az karmaşık. Bu süreç, eski FinFET teknolojisi ile etkin bir şekilde sınırlandırılacaktır.
Bu nedenle Samsung Foundry, müşterileri geri kazanmak veya yenilerini çekmek için oynayacak bir karta sahiptir. Koreli grubun getiriler açısından da çekici olup olmayacağını göreceğiz. Geçmişte, Samsung Foundry’deki çip üretimi bu noktada TSMC ile karşılaştırmadan zarar görmüştü.
