SK hynix, ileri teknolojiye sahip 12 katmanlı HBM3E belleğinin hacimli üretimini duyurdu ve yapay zeka bilişiminin bir sonraki çağına geçişi hızlandırdı.

SK hynix, Yapay Zeka Pazarlarına Yönelik 12 Katmanlı HBM3E Bellek Üretimini Duyan İlk Firma Oldu

[Press Release]: SK hynix bugün açıklandı mevcut HBM’lerin bugüne kadarki en büyük kapasitesi olan 36GB kapasiteli dünyanın ilk 12 katmanlı HBM3E ürününün seri üretimine başladığını söyledi. Şirket, bu yılın Mart ayında sektörde ilk kez HBM3E 8 katmanlı ürününü müşterilere teslim ettikten altı ay sonra, üstün teknolojisini bir kez daha kanıtlayarak yıl içinde müşterilere seri üretilen ürünleri tedarik etmeyi planlıyor.

Görüntü Kaynağı: SK hynix

SK hynix, 2013 yılında dünyanın ilk HBM’sini piyasaya sürdüğünden bu yana, birinci nesilden (HBM1) beşinci nesile (HBM3E) kadar tüm HBM serisini geliştiren ve tedarik eden dünyadaki tek şirkettir. Şirket, üretime devam etmeyi planlıyor. Yapay zeka bellek pazarında liderlik, sektörde 12 katmanlı HBM3E’nin seri üretimini yapan ilk şirket olarak yapay zeka şirketlerinin artan ihtiyaçlarını karşılıyor.

Şirkete göre 12 katmanlı HBM3E ürünü, hız, kapasite ve kararlılık da dahil olmak üzere yapay zeka belleği için gerekli olan tüm alanlarda dünyanın en yüksek standartlarını karşılıyor. SK hynix, bellek işlemlerinin hızını, günümüzde mevcut olan en yüksek bellek hızı olan 9,6 Gbps’ye yükseltti. Eğer ‘Llama 3 70BBüyük Dil Modeli (LLM), Dört HBM3E ürünüyle donatılmış tek bir GPU tarafından çalıştırılır ve toplam 70 milyar parametreyi saniyede 35 kez okuyabilir.

SK hynix, bir kez daha teknolojik sınırları aşarak yapay zeka hafızasında sektör liderliğimizi ortaya koydu. Yapay zeka çağının zorluklarının üstesinden gelmek için sürekli olarak yeni nesil bellek ürünleri hazırlarken, küresel 1 numaralı yapay zeka bellek sağlayıcısı olarak konumumuzu sürdüreceğiz.

Justin KimSK hynix’te Başkan (AI Infra Başkanı)

Görüntü Kaynağı: SK hynix

SK hynix, önceki sekiz katmanlı ürünle aynı kalınlıkta 12 katman 3GB DRAM yongasını istifleyerek kapasiteyi %50 artırdı. Bunu başarmak için şirket, her DRAM yongasını öncekinden %40 daha ince yaptı ve TSV teknolojisini kullanarak dikey olarak istifledi. Şirket ayrıca, daha ince talaşların daha yüksek istiflenmesinden kaynaklanan yapısal sorunları, temel teknolojisi olan Gelişmiş MR-MUF sürecini uygulayarak çözdü.

Bu, önceki nesle kıyasla %10 daha yüksek ısı dağıtma performansı sağlanmasına ve gelişmiş çarpıklık kontrolü yoluyla ürünün stabilitesinin ve güvenilirliğinin güvence altına alınmasına olanak tanır.

Bu hikayeyi paylaş

Facebook

heyecan



genel-17