Samsung Foundry, Haziran ayındaki VLSI Sempozyumu 2024’te her yönüyle geçit (GAA) transistörleri içeren üçüncü nesil süreç teknolojisini ayrıntılarıyla anlatacak. Teknolojiye SF2 adı veriliyor ve bu, şirketin ilk 2nm sınıfı üretim süreci olacak. Düğümün performans ve verimlilik açısından önemli iyileştirmeler sunması bekleniyor.
Samsung, SF2 üretim teknolojisiyle ilgili önemli ayrıntıları bir toplantıda açıklayacak oturum Şirketin kendi açıklamasına göre, gelecek düğüm, Samsung’un çok köprülü kanal alan etkili transistör mimarisini benzersiz bir epitaksiyel ve entegrasyon süreciyle daha da geliştirecek. Bu, transistör performansını yüzde 11-46 oranında artırmasına ve belirtilmemiş bir FinFET tabanlı süreç teknolojisine kıyasla değişkenliği yüzde 26 oranında azaltmasına ve sızıntıyı yaklaşık yüzde 50 oranında azaltmasına olanak tanıyacak.
Samsung’un açıklaması şöyle: “Ürün performansının farkında olan 3. nesil MBCFET’in (SF2), ürün kazancıyla ölçeklendirme ve GAA yapısı çatışmasının üstesinden gelen benzersiz epitaksiyel ve entegrasyon sürecini sunarak, her yönden geçit faydasını tam olarak en üst düzeye çıkardığı ortaya çıktı.” “Ürünün ana dar NS transistörü, N/PFET +%29/+46 ve geniş NS transistörü +%11/+23 ile güçlendirildi. Buna ek olarak, bir ürün olan FinFET’ten transistör küresel varyasyonunun %26 oranında azaltılması yoluyla sızıntı dağılımı önemli ölçüde ~%50 oranında ölçeklendi.”
Ticari Kore Samsung’un yalnızca teknolojik sınırları zorlamakla kalmayıp aynı zamanda 2nm sınıfı üretim süreci için ekosistemini güçlendirdiğini bildiriyor. Şirket, 50’den fazla fikri mülkiyet (IP) ortağıyla çalışıyor ve 4.000’den fazla IP unvanına sahip, ancak bariz nedenlerden dolayı bunlardan yalnızca birkaçı genel olarak GAA düğümlerini ve özel olarak SF2’yi hedefliyor. Bu arada, bu yılın başlarında Samsung ve Arm, Cortex-X ve Cortex-A çekirdeklerini Samsung’un her yönden transistör tabanlı üretim teknolojileri için birlikte optimize etmek üzere bir anlaşma imzaladı.
Samsung’un SF2 proses teknolojisinin tasarım altyapısının geliştirilmesinin, şirketin çip geliştirme ortaklarının üretim düğümü için ürünler tasarlamaya başlayabileceği 2024 yılının ikinci çeyreğinde tamamlanacağı söyleniyor.
İlgili bir kayda göre Samsung, bu yıl SF3 adı verilen ikinci nesil 3nm sınıfı üretim sürecini kullanarak çip üretmeye başlama yolunda ilerliyor. Samsung’un SF3E adı verilen ilk nesil 3nm sınıfı düğümü pek başarılı olamadı, çünkü şirket çoğunlukla bu teknoloji üzerinde kripto para madenciliği çipleri üretiyordu. Ancak Samsung, SF3 düğümünün, veri merkezlerine yönelik ürünler de dahil olmak üzere daha gelişmiş tasarımlarla daha yaygın bir şekilde kullanılacağını umuyor.
2nm sınıfı proses teknolojisinin nakliyesine başlama yarışı sürüyor. Samsung’un bu yaz tasarım özelliklerini ayrıntılarıyla açıklamasıyla birlikte, 2025 yılında Samsung SF2 üzerine inşa edilen ilk ürünleri görmeyi bekliyoruz. N2P de dahil olmak üzere TSMC’nin 2nm düğüm ailesiyle rekabet edecek. Intel Foundry aynı zamanda 2024 yılı sonuna kadar ilk tasarımların gönderileceği 2 nm sınıfı Intel 18A düğümü üzerinde de çalışıyor. Intel 20A çözümleri de üzerinde çalışılıyor ve bu yıl teslim edilmesi bekleniyor. Çeşitli süreç teknolojilerinin sonuçta nasıl bir araya geleceği henüz bilinmiyor.